CoolSiC™ 750V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 750V G2 Silicon Carbide MOSFETs are designed to offer high efficiency, robustness against parasitic turn-on for unipolar gate driving, and reliability. These MOSFETs offer superior performance in Totem Pole, ANPC, Vienna rectifier, and FCC hard-switching topologies. The reduction in Output Capacitance (Coss) enables the MOSFETs to operate at higher switching frequencies in Cycloconverter, CLLC, DAB, and LLC soft switching topologies. The CoolSiC™ 750V G2 MOSFETs feature up to 78mΩ maximum drain-source on-resistance and switching losses through improved gate control. These MOSFETs are automotive and industrial qualified. Typical applications include EV charging infrastructure, telecom, circuit breakers, solid state relays, solar PV inverters, and HV‑LV DC-DC converters.

Wyniki: 30
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Infineon Technologies SiC MOSFETs SiC MOSFET, 750 V
Karta charakterystyki
6Na stanie magazynowym
480Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 172 A 9 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 169 nC - 55 C + 175 C 483 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
Karta charakterystyki
167Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 198 A 9 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 169 nC - 55 C + 175 C 651 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
Karta charakterystyki
1 174Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 34 A 65 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 135 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
1 080Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 36 A 65 mhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SiC MOSFET, 750 V
Karta charakterystyki
478Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 116 A 13.8 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 106 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SiC MOSFET, 750 V
Karta charakterystyki
340Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 72 A 25 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 59 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SiC MOSFET, 750 V
Karta charakterystyki
476Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 47 A 65.6 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 164 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SiC MOSFET, 750 V
Karta charakterystyki
338Na stanie magazynowym
240Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 40 A 80 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 142 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SiC MOSFET, 750 V
Karta charakterystyki
490Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 32 A 104 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 122 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SiC MOSFET, 750 V
Karta charakterystyki
500Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 28 A 124 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 108 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SiC MOSFET, 750V, G2, 11 m
Karta charakterystyki
28Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 129 A 22 mOhms - 7 V, + 23 V 4.5 V 106 nC - 55 C + 175 C 416 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SiC MOSFET, 750V, G2, 16 m
Karta charakterystyki
35Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 93 A 32 mOhms - 7 V, + 23 V 4.5 V 74 nC - 55 C + 175 C 318 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SiC MOSFET, 750V, G2, 20 m
Karta charakterystyki
35Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 79 A 40 mOhms - 7 V, + 23 V 4.5 V 59 nC - 55 C + 175 C 282 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
Karta charakterystyki
54Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 31.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 64 A 31 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
Karta charakterystyki
47Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 31.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 50 A 41.3 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
Karta charakterystyki
159Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 42 A 50 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 156 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
Karta charakterystyki
167Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 29 A 78 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 116 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
80Na stanie magazynowym
750Oczekiwane: 22.07.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 45 A 50 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
Karta charakterystyki
544Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 840 V 70 A 31 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 272 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
Karta charakterystyki
1 215Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 840 V 30 A 78 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
Karta charakterystyki
748Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 840 V 103 A 20 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 74 nC - 55 C + 175 C 394 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
Karta charakterystyki
1 085Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 840 V 30 A 78 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
Karta charakterystyki
5Na stanie magazynowym
1 500Oczekiwane: 17.09.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 840 V 357 A 5 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 342 nC - 55 C + 175 C 1.499 kW Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
Karta charakterystyki
99Na stanie magazynowym
750Oczekiwane: 29.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 840 V 70 A 31 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 272 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
Karta charakterystyki
9 734Dostępna ilość z otwartych zamówień
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 840 V 222 A 8.5 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 171 nC - 55 C + 175 C 789 W Enhancement CoolSiC