UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETs

onsemi UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETs are high-performance devices that deliver Figures of Merit that lower conduction losses and increase efficiency at higher speeds, improving overall cost-effectiveness. Available in 5.4mΩ to 60mΩ options, the Gen 4 series is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. The standard gate-drive characteristics of the UJ4C/SC 750V FETs allow for "drop-in replacement" functionality. Designers can enhance system performance without changing gate drive voltage by replacing existing Si IGBTs, Si FETs, SiC FETs, or Si super-junction devices with the onsemi UJ4C/SC FETs.

Wyniki: 29
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Kwalifikacje
Nazwa handlowa
onsemi SiC MOSFETs 750V/18MOSICFETG4TO263
Karta charakterystyki
280Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 400
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 72 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 259 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/33MOSICFETG4TO263
Karta charakterystyki
486Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 44 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/11MOSICFETG4TO247
Karta charakterystyki
1 049Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 300

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/18MOSICFETG4TO247
Karta charakterystyki
640Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 300

Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/18MOSICFETG4TO247
Karta charakterystyki
527Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 300

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/60MOSICFETG4TO247-4
Karta charakterystyki
562Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/44MOSICFETG4TO263
Karta charakterystyki
698Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 35.6 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/5MOSICFETG4TOLL
Karta charakterystyki
2 275Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 1 000
: 2 000

SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 120 A 5 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 1.153 kW Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/8MOSICFETG4TOLL
Karta charakterystyki
714Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 1 000
: 2 000

SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 106 A 8 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/18MOSICFETG4TOLL
Karta charakterystyki
2 467Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 53 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 349 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/33MOSICFETG4TOLL
Karta charakterystyki
2 815Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 44 A 33 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/44MOSICFETG4TOLL
Karta charakterystyki
2 570Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 35.6 A 44 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/60MOSICFETG4TOLL
Karta charakterystyki
3 259Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 27.8 A 58 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/23MOSICFETG4TOLL
Karta charakterystyki
1 266Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 64 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/23MOSICFETG4TO247
Karta charakterystyki
364Na stanie magazynowym
600Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 300

Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 66 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/23MOSICFETG4TO247
Karta charakterystyki
708Na stanie magazynowym
1 200Oczekiwane: 20.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 300

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 66 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/33MOSICFETG4TO247
Karta charakterystyki
253Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 47 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/33MOSICFETG4TO247
Karta charakterystyki
324Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 47 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/44MOSICFETG4TO247
Karta charakterystyki
445Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 600

Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 37.4 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/60MOSICFETG4TO263
Karta charakterystyki
1 300Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 25.8 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/60MOSICFETG4TO247
Karta charakterystyki
1 686Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/9MOSICFETG4TO263-
Karta charakterystyki
350Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 106 A 9 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/23MOSICFETG4TO263
Karta charakterystyki
13Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 64 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/44MOSICFETG4TO247
Karta charakterystyki
18Na stanie magazynowym
6 600Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 37.4 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/6MOSICFETG4TO247-
Karta charakterystyki
3Na stanie magazynowym
600Oczekiwane: 20.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 600

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 120 A 5.9 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement SiC FET