Wyniki: 39
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Nazwa handlowa Opakowanie

IXYS MOSFETs >1200V High Voltage Power MOSFET 275Na stanie magazynowym
84,00 zł
71,02 zł
54,21 zł
51,96 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 12 A 2 Ohms 30 V 4.5 V 106 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs TO268 1.5KV 12A N-CH HIVOLT 261Na stanie magazynowym
252,12 zł
204,73 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.5 kV 12 A 2.2 Ohms 30 V 2.5 V 106 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 1500V High Voltage Power MOSFET 310Na stanie magazynowym
79,29 zł
50,86 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 12 A 2 Ohms 30 V 4.5 V 106 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 6 Amps 1200V 2.700 Rds 274Na stanie magazynowym
65,60 zł
39,42 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 6 A 2.6 Ohms 20 V 5 V 56 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs High Voltage Power MOSFET 248Na stanie magazynowym
60,50 zł
35,51 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 2.5 A 6 Ohms 30 V 5 V 44.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs 3 Amps 1200V 4.500 Rds 211Na stanie magazynowym
90Oczekiwane: 22.12.2026
44,97 zł
28,95 zł
26,66 zł
24,07 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms 20 V 4.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs High Voltage Power MOSFET 165Na stanie magazynowym
48,80 zł
32,03 zł
29,74 zł
26,84 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 6 Ohms 30 V 2.5 V 44.5 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 0.75 Amps 1000V 15 Rds 549Na stanie magazynowym
17,64 zł
9,06 zł
8,23 zł
7,13 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 750 mA 17 Ohms 30 V 4.5 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 0.5 Amps 1000V 300Na stanie magazynowym
22,75 zł
11,97 zł
10,47 zł
10,03 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 700 mA 15 Ohms 30 V 4.5 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs 1 127Na stanie magazynowym
91,52 zł
64,68 zł
64,64 zł
63,36 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 16 A 950 mOhms 30 V 3.5 V 120 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 3 Amps 1200V 4.5 Rds 941Na stanie magazynowym
1 550Oczekiwane: 05.11.2026
40,66 zł
24,95 zł
24,90 zł
22,48 zł
22,18 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms 20 V 2.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs MOSFET Id3 BVdass1200 598Na stanie magazynowym
40,48 zł
24,46 zł
22,18 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms 20 V 2.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs 1500 V High Voltage Power MOSFET 295Na stanie magazynowym
300Oczekiwane: 01.03.2027
129,01 zł
99,84 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 20 A 1 Ohms 30 V 4.5 V 215 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement Tube
IXYS MOSFETs High Voltage Power MOSFET 247Na stanie magazynowym
26,09 zł
13,90 zł
13,86 zł
11,75 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 750 mA 17 Ohms 30 V 2.5 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs TO263 1.5KV 3A N-CH HIVOLT 109Na stanie magazynowym
300Oczekiwane: 09.11.2026
60,24 zł
35,07 zł
34,10 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.5 kV 3 A 7.3 Ohms 30 V 2.5 V 38.6 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs TO263 150V 4A N-CH HIVOLT 83Na stanie magazynowym
61,34 zł
35,51 zł
34,23 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 6 Ohms 30 V 2.5 V 375 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs High Voltage Power MOSFET 1Na stanie magazynowym
70,97 zł
45,28 zł
39,91 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 3 A 7.3 Ohms 30 V 2.5 V 38.6 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs 6 Amps 1200V 2.700 Rds 96Na stanie magazynowym
65,60 zł
39,42 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 6 A 2.4 Ohms 20 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 0.1 Amps 1000V 80 Rds 300Na stanie magazynowym
15,93 zł
8,23 zł
7,44 zł
6,34 zł
6,29 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 100 mA 80 Ohms 20 V - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs TO263 1.2KV 3A N-CH HIVOLT
337Oczekiwane: 16.02.2027
42,50 zł
24,29 zł
22,40 zł
21,65 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms 20 V 2.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 0.75 Amps 1000V 15 Rds Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 19 tygodni
12,01 zł
Min.: 300
Wielokr.: 50
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 750 mA 17 Ohms 30 V 4.5 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs HIGH VOLT PWR MOSFET 1500V 6A Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 32 tygodni
63,67 zł
41,67 zł
36,43 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 6 A 3.5 Ohms 20 V 5 V 67 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs High Voltage Power MOSFET Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 24 tygodni
45,01 zł
Min.: 300
Wielokr.: 30
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 3 A 3.85 Ohms 30 V 2.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 1200V High Voltage Power MOSFET Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 24 tygodni
248,51 zł
215,91 zł
190,08 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1.5 kV 20 A 1 Ohms Tube
IXYS MOSFETs 2 Amps 800V 6.2 Rds Niedostępne na stanie
10,43 zł
7,70 zł
6,47 zł
6,03 zł
5,63 zł
Min.: 50
Wielokr.: 50
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 6.2 Ohms 20 V - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube