Wyniki: 40
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie

IXYS MOSFETs High Voltage Power MOSFET
Karta charakterystyki
248Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 2.5 A 6 Ohms 30 V 5 V 44.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 6 Amps 1200V 2.700 Rds
Karta charakterystyki
274Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 6 A 2.6 Ohms 20 V 5 V 56 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs 1
Karta charakterystyki
157Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 16 A 950 mOhms 30 V 3.5 V 120 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 3 Amps 1200V 4.500 Rds
Karta charakterystyki
211Na stanie magazynowym
90Oczekiwane: 15.12.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms 20 V 4.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs High Voltage Power MOSFET
Karta charakterystyki
175Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 6 Ohms 30 V 2.5 V 44.5 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 0.5 Amps 1000V
Karta charakterystyki
300Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 700 mA 15 Ohms 30 V 4.5 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 0.75 Amps 1000V 15 Rds
Karta charakterystyki
549Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 750 mA 17 Ohms 30 V 4.5 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs TO268 1.5KV 12A N-CH HIVOLT
Karta charakterystyki
263Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.5 kV 12 A 2.2 Ohms 30 V 2.5 V 106 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs High Voltage Power MOSFET
Karta charakterystyki
2 248Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 750 mA 17 Ohms 30 V 2.5 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs TO263 1.5KV 3A N-CH HIVOLT
Karta charakterystyki
223Na stanie magazynowym
300Oczekiwane: 25.01.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.5 kV 3 A 7.3 Ohms 30 V 2.5 V 38.6 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs MOSFET Id3 BVdass1200
Karta charakterystyki
654Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms 20 V 2.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 1500V High Voltage Power MOSFET
Karta charakterystyki
310Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 12 A 2 Ohms 30 V 4.5 V 106 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs TO263 1.2KV 3A N-CH HIVOLT
Karta charakterystyki
7Na stanie magazynowym
350Oczekiwane: 09.02.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms 20 V 2.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs TO263 150V 4A N-CH HIVOLT
Karta charakterystyki
83Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 6 Ohms 30 V 2.5 V 375 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs High Voltage Power MOSFET
Karta charakterystyki
8Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 3 A 7.3 Ohms 30 V 2.5 V 38.6 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs 6 Amps 1200V 2.700 Rds
Karta charakterystyki
96Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 6 A 2.4 Ohms 20 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 0.1 Amps 1000V 80 Rds
Karta charakterystyki
300Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 100 mA 80 Ohms 20 V - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 3 Amps 1200V 4.5 Rds
Karta charakterystyki
3 062Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms 20 V 2.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs 1500 V High Voltage Power MOSFET
Karta charakterystyki
595Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 20 A 1 Ohms 30 V 4.5 V 215 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement Tube

IXYS MOSFETs >1200V High Voltage Power MOSFET
Karta charakterystyki
285Oczekiwane: 26.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 12 A 2 Ohms 30 V 4.5 V 106 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 0.75 Amps 1000V 15 Rds
Karta charakterystyki
800Dostępne z magazynu fabrycznego
Więcej dostępnych informacji
Min.: 300
Wielokr.: 50
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 750 mA 17 Ohms 30 V 4.5 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs HIGH VOLT PWR MOSFET 1500V 6A
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 32 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 6 A 3.5 Ohms 20 V 5 V 67 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs High Voltage Power MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 24 tygodni
Min.: 300
Wielokr.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 3 A 3.85 Ohms 30 V 2.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 1200V High Voltage Power MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 24 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1.5 kV 20 A 1 Ohms Tube
IXYS MOSFETs 2 Amps 800V 6.2 Rds
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 50
Wielokr.: 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 6.2 Ohms 20 V - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube