High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

Wyniki: 69
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania Opakowanie/obudowa Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Kwalifikacje Nazwa handlowa
onsemi SiC MOSFETs 650V/40MOSICFETG3TO247-4 3 278Na stanie magazynowym
74,93 zł
44,18 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 54 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 43 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO247 626Na stanie magazynowym
47,43 zł
26,66 zł
24,73 zł
23,36 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/60MOSICFETG4TO263 1 266Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
29,79 zł
16,37 zł
15,93 zł
15,36 zł
Opakowanie zbiorcze
15,36 zł
13,29 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 25.8 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 650V/40MOSICFETG3TO220-3 976Na stanie magazynowym
77,18 zł
46,24 zł
43,52 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 54 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO247-4 583Na stanie magazynowym
48,80 zł
27,41 zł
25,43 zł
24,11 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 1200V/80MOSICFETG3TO24 1 142Na stanie magazynowym
80,08 zł
48,14 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO220-3 892Na stanie magazynowym
97,11 zł
61,56 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 5 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 650V/40MOSICFETG3TO247 1 166Na stanie magazynowym
73,83 zł
43,38 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 54 A 42 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO220 475Na stanie magazynowym
45,36 zł
26,14 zł
24,20 zł
22,22 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/44MOSICFETG4TO263 648Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
53,11 zł
30,40 zł
28,78 zł
Opakowanie zbiorcze
28,78 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 35.6 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 1200V/80MOSICFETG3TO26 618Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
72,78 zł
45,63 zł
42,59 zł
Opakowanie zbiorcze
42,59 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 28.8 A 85 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO247-3 684Na stanie magazynowym
45,76 zł
25,17 zł
25,12 zł
23,36 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/60MOSICFETG4TO247-4 562Na stanie magazynowym
49,85 zł
27,72 zł
26,09 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO220 335Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 13.11.2026
100,63 zł
80,56 zł
69,70 zł
61,56 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 1200V/40MOSICFETG3TO247-3 202Na stanie magazynowym
111,19 zł
82,98 zł
82,68 zł
73,13 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO247-3 513Na stanie magazynowym
102,21 zł
61,95 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/60MOSICFETG4TO247 1 242Na stanie magazynowym
53,64 zł
34,94 zł
30,40 zł
27,28 zł
25,26 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/11MOSICFETG4TO263-7 279Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
111,94 zł
88,66 zł
81,53 zł
73,70 zł
Opakowanie zbiorcze
73,70 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7L 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/18MOSICFETG4TO263-7 237Na stanie magazynowym
800Oczekiwane: 11.11.2027
Odcinek taśmy
92,58 zł
69,12 zł
59,80 zł
52,84 zł
Opakowanie zbiorcze
52,84 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 72 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 259 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 1200V/150MOSICFETG3TO2 343Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
48,31 zł
27,72 zł
25,56 zł
24,20 zł
Opakowanie zbiorcze
24,20 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 17 A 150 mOhms - 25 V, + 25 V 4.4 V 25.7 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 1200V/40MOSICFETG3TO24 382Na stanie magazynowym
138,73 zł
103,14 zł
96,49 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 1700V/400MOSICFETG3TO263-7 26Na stanie magazynowym
2 400Oczekiwane: 15.01.2027
Odcinek taśmy
44,09 zł
31,15 zł
23,10 zł
22,35 zł
Opakowanie zbiorcze
21,56 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.7 kV 7.6 A 410 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23.1 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 650V/7MOSICFETG3TO247-4 445Na stanie magazynowym
294,80 zł
248,69 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 120 A 9 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 214 nC - 55 C + 175 C 789 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 1200V/16MOSICFETG3TO247-4 466Na stanie magazynowym
267,34 zł
216,70 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 107 A 21 mOhms - 20 V, + 20 V 4 V 218 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 1200V/9MOSICFETG3TO247-4 358Na stanie magazynowym
266,46 zł
210,28 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 120 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 4 V 234 nC - 55 C + 175 C 789 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET