Wyniki: 40
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
2 248Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 69 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 51 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
3 511Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 41 A 53 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 67 nC - 40 C + 150 C 201 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
220Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 61 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 90 nC - 55 C + 150 C 201 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
12 403Na stanie magazynowym
2 500Oczekiwane: 24.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 69 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 51 nC - 55 C + 150 C 129 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
6 668Na stanie magazynowym
6 240Oczekiwane: 24.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 76 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 121 nC - 55 C + 150 C 255 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
28 957Na stanie magazynowym
26 160Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 150 C 72 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
7 603Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 150 C 72 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
473Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 61 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 90 nC - 55 C + 150 C 201 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
1 005Na stanie magazynowym
2 000Oczekiwane: 28.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 49 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 67 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
862Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 77 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
1 853Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 26 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
732Na stanie magazynowym
4 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 120 V 61 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 90 nC - 55 C + 150 C 201 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
1 296Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 49 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 67 nC - 55 C + 150 C 164 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
1 202Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 77 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 117 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
5 285Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 26 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 95 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
2 294Na stanie magazynowym
12 500Oczekiwane: 29.10.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 150 C 72 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Karta charakterystyki
11 564Na stanie magazynowym
7 500Oczekiwane: 24.12.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 25 nC - 40 C + 150 C 72 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
1 316Na stanie magazynowym
6 000Oczekiwane: 26.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 33 A 85 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 40 C + 150 C 137 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
7 624Na stanie magazynowym
3 000Oczekiwane: 20.08.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 27 A 104 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 36 nC - 40 C + 150 C 111 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
3 692Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 149 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 25 nC - 40 C + 150 C 81 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
2 174Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 150 C 72 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
439Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 101 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 164 nC - 55 C + 150 C 291 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
3 280Na stanie magazynowym
240Oczekiwane: 29.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 69 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 51 nC - 55 C + 150 C 129 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
792Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 77 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 117 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
254Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 76 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 121 nC - 55 C + 150 C 255 W Enhancement CoolMOS Tube