Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs

GeneSiC Semiconductor Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs are developed using a proprietary trench-assisted planar technology for high-speed performance. The technology enables an extremely low RDS(ON) increase vs. temperature, which results in low power losses across the full operating range. Available in 650V and 1200V variants, these MOSFETs are optimized for faster switching speeds, higher efficiency, and increased power density. GeneSiC G3F SiC MOSFETs offer high-speed, cool-running performance, with up to a +25°C lower case temperature. The thermally enhanced TOLL package for the 650V variant provides space and thermal management advantages. The 1200V models offer the power needed for next-generation EVs and industrial applications. Typical applications include AI data centers, EV roadside superchargers, onboard chargers (OBC), energy storage systems (ESS), and solar power solutions.

Wyniki: 29
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Tryb kanału
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 18mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 753Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 18 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 1 103Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 90 A 20 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-LL G3F SiC MOSFET 1 678Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 200

SMD/SMT TO-LL 650 V 20 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 34mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 1 546Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 34 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 135mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 1 485Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 135 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 18mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
Karta charakterystyki
428Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 18 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 536Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 109 A 20 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 648Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 100 A 20 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 25mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 205Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 25 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 25mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 247Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 25 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 778Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 78 A 27 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 458Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 70 A 27 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-LL G3F SiC MOSFET 1 200Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 200

SMD/SMT TO-LL 650 V 27 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 34mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 456Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 34 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 761Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 68 A 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 1 416Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 61 A 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET 1 133Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 52 A 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 750Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 57 A 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 1 050Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 52 A 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-LL G3F SiC MOSFET 1 055Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 200

SMD/SMT TO-LL 650 V 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET 1 129Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 42 A 55 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 755Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 1 056Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 42 A 55 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-LL G3F SiC MOSFET 1 200Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 200

GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 65mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
Karta charakterystyki
1 550Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 65 mOhms Enhancement