Diody Schottky'ego z węglika krzemu

Vishay Semiconductors Power Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes are advanced, high‑performance rectifiers designed to deliver exceptional efficiency, ruggedness, and reliability in demanding power‑electronics applications. Built on wide-band-gap SiC technology, these Vishay diodes offer virtually zero reverse‑recovery charge, extremely fast switching capability, and temperature‑invariant performance, making the devices ideal for next‑generation high‑frequency power conversion systems.

Wyniki: 45
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Konfiguracja
If – prąd przewodzenia diody
Vrrm – powtarzajace się napięcie wsteczne
Vf – Napięcie przewodzenia
Ifsm – prąd udarowy przewodzenia
Ir – Prąd wsteczny
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Vr – napięcie wsteczne
Seria
Opakowanie
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SiCG4D2PAK2L
Karta charakterystyki
760Oczekiwane: 19.02.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C16ET07S2LHM3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2202L
Karta charakterystyki
925Oczekiwane: 19.03.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C16ET07T-M3 Tube
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2202L
Karta charakterystyki
1 000Oczekiwane: 19.03.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C16ET07THM3 Tube
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2473L
Karta charakterystyki
475Oczekiwane: 19.03.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C30CP07L-M3 Tube
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2473L
Karta charakterystyki
490Oczekiwane: 19.03.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C30CP07LHM3 Tube
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2472L
Karta charakterystyki
475Oczekiwane: 23.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C30EP12L-M3 Tube
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2472L
Karta charakterystyki
500Oczekiwane: 23.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C30EP12LHM3 Tube
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SiCG4D2PAK2L
Karta charakterystyki
794Oczekiwane: 23.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

TO-263AB-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C30ET12S2L-M3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SiCG4D2PAK2L
Karta charakterystyki
800Oczekiwane: 23.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

TO-263AB-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C30ET12S2LHM3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2202L
Karta charakterystyki
1 000Oczekiwane: 23.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C30ET12T-M3 Tube
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2202L
Karta charakterystyki
1 000Oczekiwane: 23.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C30ET12THM3 Tube
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SiCG4D2PAK2L
Karta charakterystyki
735Oczekiwane: 02.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C 650 V 4C08ET07S2L-M3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SiCG4D2PAK2L
Karta charakterystyki
800Oczekiwane: 23.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C 650 V 4C08ET07S2LHM3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2202L
Karta charakterystyki
925Oczekiwane: 23.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C08ET07THM3 Tube
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2202L
Karta charakterystyki
1 000Oczekiwane: 23.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C08ET07THM3 Tube
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2472L
Karta charakterystyki
500Oczekiwane: 19.03.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 10 A 1.2 kV 1.34 V 50 A 162 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C10EP12L-M3 Tube
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SiCG4D2PAK2L
Karta charakterystyki
800Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 72 A 84 uA -55 C + 175 C 650 V VS-4C12ET07S2L-M3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2472L
Karta charakterystyki
500Oczekiwane: 15.02.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C16EP07L-M3 Tube
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2472L
Karta charakterystyki
500Oczekiwane: 19.03.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C16EP07LHM3 Tube
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SiCG4D2PAK2L
Karta charakterystyki
780Oczekiwane: 19.03.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C16ET07S2L-M3 Reel, Cut Tape