Diody Schottky'ego z węglika krzemu

Vishay Semiconductors Power Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes are advanced, high‑performance rectifiers designed to deliver exceptional efficiency, ruggedness, and reliability in demanding power‑electronics applications. Built on wide-band-gap SiC technology, these Vishay diodes offer virtually zero reverse‑recovery charge, extremely fast switching capability, and temperature‑invariant performance, making the devices ideal for next‑generation high‑frequency power conversion systems.

Wyniki: 45
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Konfiguracja
If – prąd przewodzenia diody
Vrrm – powtarzajace się napięcie wsteczne
Vf – Napięcie przewodzenia
Ifsm – prąd udarowy przewodzenia
Ir – Prąd wsteczny
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Vr – napięcie wsteczne
Seria
Opakowanie
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2202L
Karta charakterystyki
990Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 72 A 84 uA -55 C + 175 C 650 V VS-4C12ET07T-M3 Tube
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2202L
Karta charakterystyki
970Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 72 A 84 uA -55 C + 175 C 650 V VS-4C12ET07THM3 Tube
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SiCG4D2PAK2L
Karta charakterystyki
548Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C20ET07S2LHM3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2202L
Karta charakterystyki
812Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C20ET07T-M3 Tube
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2202L
Karta charakterystyki
1 000Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C20ET07THM3 Tube
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SiCG4D2PAK2L
Karta charakterystyki
588Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 SIngle 30 A 650 V 1.33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C30ET07S2L-M3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SiCG4D2PAK2L
Karta charakterystyki
584Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 SIngle 30 A 650 V 1.33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C30ET07S2LHM3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2202L
Karta charakterystyki
940Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220AC-2 SIngle 30 A 650 V 1.33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C30ET07T-M3 Tube
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2202L
Karta charakterystyki
1 000Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220AC-2 SIngle 30 A 650 V 1.33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C30ET07THM3 Tube
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2473L
Karta charakterystyki
422Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C40CP07L-M3 Tube
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2473L
Karta charakterystyki
475Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C40CP07LHM3 Tube
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SiCG4D2PAK2L
Karta charakterystyki
568Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 6 A 650 V 1.3 V 39 A 35 uA - 55 C + 175 C 650 V 4C06ET07S2L-M3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SiCG4D2PAK2L
Karta charakterystyki
636Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 6 A 650 V 1.3 V 39 A 35 uA - 55 C + 175 C 650 V 4C06ET07S2LHM3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2473L
Karta charakterystyki
460Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 10 A 650 V 1.3 V 60 A 50 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C20CP07L-M3 Tube
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2473L
Karta charakterystyki
455Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 10 A 650 V 1.3 V 60 A 50 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C20CP07LHM3 Tube
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SiCG4D2PAK2L
Karta charakterystyki
464Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C20ET07S2L-M3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2473L
Karta charakterystyki
425Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247AD-3 Single 30 A 650 V 1,33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C30E3P07L-M3 Tube
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SiCG4D2PAK2L
Karta charakterystyki
560Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 72 A 84 uA -55 C + 175 C 650 V VS-4C12ET07S2LHM3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2472L
Karta charakterystyki
500Oczekiwane: 19.03.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 10 A 1.2 kV 1.34 V 50 A 162 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C10EP12LHM3 Tube
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2472L
Karta charakterystyki
490Oczekiwane: 23.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C15EP12L-M3 Tube
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2472L
Karta charakterystyki
500Oczekiwane: 23.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C15EP12LHM3 Tube
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SiCG4D2PAK2L
Karta charakterystyki
800Oczekiwane: 23.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C15ET12S2L-M3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SiCG4D2PAK2L
Karta charakterystyki
800Oczekiwane: 23.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C15ET12S2LHM3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2202L
Karta charakterystyki
990Oczekiwane: 23.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C15ET12T-M3 Tube
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2202L
Karta charakterystyki
1 000Oczekiwane: 23.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C15ET12THM3 Tube