GaN HEMTs

MACOM Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to deliver high efficiency and high gain. The modules also feature wide bandwidth capabilities, making them ideal for linear and compressed amplifier circuits. GaN offers superior properties compared to silicon or gallium Arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity. For design flexibility, MACOM GaN HEMTs are offered in a variety of package types, including DFN, 440193, 440196, 440166, 440206, and bare die.

Wyniki: 32
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Maksymalna częstotliwość robocza Minimalna częstotliwość robocza Technologia
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt 96Na stanie magazynowym
1 800Dostępna ilość z otwartych zamówień
Odcinek taśmy
219,32 zł
189,00 zł
177,32 zł
170,39 zł
Opakowanie zbiorcze
156,79 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 200
SMD/SMT QFN-6 N-Channel 120 V 750 mA - 3 V - 40 C + 150 C 6 GHz 2 GHz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt 937Na stanie magazynowym
388,84 zł
325,88 zł
303,83 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
SMD/SMT 440109 N-Channel 120 V 750 mA - 3 V - 40 C + 150 C 6 GHz 2 GHz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt 2 224Na stanie magazynowym
398,66 zł
331,63 zł
301,98 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 3 V - 40 C + 150 C 6 GHz 2 GHz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt 726Na stanie magazynowym
440Oczekiwane: 13.10.2026
837,40 zł
716,60 zł
673,76 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 3 A - 3 V - 40 C + 150 C 6 GHz 2 GHz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-4.0GHz, 35 Watt 268Na stanie magazynowym
500Oczekiwane: 07.12.2026
1 292,63 zł
1 102,84 zł
1 051,64 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 4.5 A - 3 V - 40 C + 150 C 4 GHz 2 GHz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt 87Na stanie magazynowym
1 614,40 zł
1 375,92 zł
1 309,39 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 6 A - 3 V - 40 C + 150 C 4 GHz 2 GHz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt 154Na stanie magazynowym
150Oczekiwane: 13.11.2026
1 919,11 zł
1 635,61 zł
1 556,52 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C 2.5 GHz 1 GHz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 Watt 140Na stanie magazynowym
544,78 zł
427,56 zł
427,52 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 3 V - 40 C + 150 C 6 GHz 4.5 GHz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt
560Na stanie magazynowym
114,20 zł
106,93 zł
104,62 zł
Min.: 10
Wielokr.: 10
SMD/SMT Die N-Channel 120 V 750 mA 1.6 Ohms - 3 V 6 GHz 4 GHz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt 725Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
325,25 zł
260,99 zł
236,21 zł
Opakowanie zbiorcze
236,21 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 250
SMD/SMT DFN-12 N-Channel 100 V 950 mA - 3 V - 40 C + 150 C 18 GHz 0 Hz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt 398Na stanie magazynowym
800Oczekiwane: 13.10.2026
904,18 zł
775,24 zł
758,69 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Screw Mount 440166 N-Channel 100 V 4.2 A 2.3 V - 40 C + 150 C 1.4 GHz 960 MHz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT 5.2-5.9GHz, 350 Watt 14Na stanie magazynowym
8 578,21 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
SMD/SMT 1 Channel 125 V - 3 V - 40 C + 85 C 5.9 GHz 5.2 GHz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-4.0GHz, 100 Watt 5Na stanie magazynowym
450Dostępna ilość z otwartych zamówień
1 796,76 zł
1 512,80 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Screw Mount 440193 N-Channel 150 V 8.7 A 2.3 V - 40 C + 150 C 2.5 GHz 500 MHz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt 1Na stanie magazynowym
20Oczekiwane: 01.10.2026
3 616,66 zł
3 201,45 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Screw Mount 440199 N-Channel 2 Channel 120 V 24 A - 3 V - 40 C + 150 C 2.5 GHz 1 GHz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt
60Oczekiwane: 24.09.2026
450,45 zł
Min.: 10
Wielokr.: 10
SMD/SMT Die N-Channel 2 Channel 120 V 3 A 500 mOhms - 3 V 6 GHz 4 GHz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-2.7GHz, 60 Watt Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Opakowanie zbiorcze
763,94 zł
Min.: 250
Wielokr.: 250
: 250
SMD/SMT QSOP-20 N-Channel 150 V 6.3 A - 3 V - 40 C + 90 C 2.7 GHz 0 Hz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-2.5GHz, 90 Watt Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
2 027,38 zł
1 790,38 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Screw Mount 440199 N-Channel 2 Channel 120 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C 2.5 GHz 500 MHz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 15 Watt
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
328,52 zł
Min.: 100
Wielokr.: 10
SMD/SMT Die N-Channel 120 V 1.5 A 1 Ohms - 3 V 6 GHz 4 GHz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 250 Watt Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
2 450,03 zł
2 158,88 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Screw Mount 440162 N-Channel 150 V 18 A - 3 V - 40 C + 130 C 1.4 GHz 1.2 GHz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 500 Watt Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
4 814,80 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Screw Mount 440117 N-Channel 150 V 36 A - 3 V - 40 C + 130 C 1.4 GHz 1.2 GHz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
226,84 zł
Min.: 200
Wielokr.: 10
SMD/SMT Die N-Channel 100 V 800 mA 2.3 Ohms - 3 V 18 GHz 10 MHz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
522,77 zł
Min.: 50
Wielokr.: 10
SMD/SMT Die N-Channel 2 Channel 50 V 3.2 A 6 GHz 0 Hz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-4.0GHz, 320 Watt
SMD/SMT Die N-Channel 50 V 4 GHz 0 Hz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt
SMD/SMT Die N-Channel 4 Channel 120 V 6 A 250 mOhms - 3 V 6 GHz 4 GHz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt
SMD/SMT Die N-Channel 1 Channel 100 V 6 A 200 mOhms - 3 V + 225 C 18 GHz 10 MHz GaN