SSM3 High Current MOSFETs

Toshiba SSM3 High Current MOSFETs provide a high drain current rating, low capacitance, low on-resistance, and fast switching. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) are semiconductor devices used for switching and amplifying electronic signals in electronic devices. Toshiba SSM3 High Current MOSFETs are ideal for mobile devices (wearable devices, smartphones, tablet PCs, etc.), load switches, DC-DC converters, and general-purpose switches. 

Wyniki: 36
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Kwalifikacje Nazwa handlowa Opakowanie
Toshiba MOSFETs Small-signal MOSFET ID: 1.4A, VDSS: 20V 116 834Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 10 000

Si SMD/SMT CST3-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1.4 A 840 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small-Signal MOSFET 176 046Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 10 000

Si SMD/SMT CST3-3 P-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 20 Ohms - 10 V, 10 V 1 V - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=--0.4A VDSS=-60V 36 255Na stanie magazynowym
36 000Oczekiwane: 09.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-346-3 P-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.3 Ohms - 20 V, 10 V 2 V 3 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=-6A VDSS=-20V 121 134Na stanie magazynowym
60 000Oczekiwane: 07.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 23 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 16.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V 41 567Na stanie magazynowym
6 000Oczekiwane: 07.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 60 V 2 A 300 mOhms - 20 V, 10 V 800 mV + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=-6A VDSS=-20V 135 742Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 17.5 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 38.5 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small Signal MOSFET 42 766Na stanie magazynowym
234 000Oczekiwane: 10.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 40 V 2 A 185 mOhms - 8 V, 8 V 850 mV + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=20V 27 873Na stanie magazynowym
27 000Oczekiwane: 07.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 20 V 4 A 25 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 3.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V 60 881Na stanie magazynowym
72 000Oczekiwane: 28.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 8 000

Si SMD/SMT VESM-3 N-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 1.1 Ohms - 10 V, 10 V 1 V 340 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small-signal Nch MOSFET ID: 0.15A 185 600Na stanie magazynowym
3 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 60 V 170 mA 2.8 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 350 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small-signal Nch MOSFET 356 877Na stanie magazynowym
20 000Oczekiwane: 07.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 10 000

Si SMD/SMT CST3-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 600 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=.3A VDSS=60V 189 261Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 600 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs SMOS Low RON Vds:-60 V Vgss:+10/-20V Id: 7 063Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT S-Mini-3 P-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 2 Ohms - 20 V, 10 V 2 V 3 nC + 150 C 1.2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=3A VDSS=20V 162Na stanie magazynowym
18 000Oczekiwane: 28.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 20 V 3 A 51 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 2 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs SMOS Low RON Nch Io: 0.4A Vdss: 60V Vgss 6 671Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT USM-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.75 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 390 pC + 150 C 700 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small-signal MOSFET ID -5.4A, VDSS -12V 3 410Na stanie magazynowym
9 000Oczekiwane: 27.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel 1 Channel 12 V 5.4 A 14 mOhms - 6 V, 6 V 1 V 33 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=-2A VDSS=-20V 1 276Na stanie magazynowym
3 000Oczekiwane: 28.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT S-Mini-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2 A 90 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 5.1 nC - 55 C + 150 C 600 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small-signal MOSFET ID -2A, VDSS -30V 4 107Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-346-3 P-Channel 1 Channel 30 V 2 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 3.4 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V 11 763Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-416-3 P-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 1.1 Ohms - 10 V, 10 V 1 V - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V 21 604Na stanie magazynowym
48 000Oczekiwane: 07.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 8 000

Si SMD/SMT SOT-723-3 P-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 1.1 Ohms - 10 V, 10 V 1 V - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small-signal MOSFET ID=-0.1A VDSS=-20V 12 125Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 10 000

Si SMD/SMT SOT-883-3 P-Channel 1 Channel 20 V 100 mA 4.3 Ohms - 10 V, 10 V 1 V - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs Nch MOSFET 15 156Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 10 000

Si SMD/SMT CST3-3 P-Channel 1 Channel 20 V 1.4 A 4 Ohms - 8 V, 8 V 1 V 1.6 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small-signal MOSFET ID 0.4A, VDSS 30V 46Na stanie magazynowym
54 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-323 N-Channel 1 Channel 30 V 400 mA 700 mOhms - 20 V, 20 V 1.1 V + 150 C 150 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS 17 238Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 10 000

Si SMD/SMT CST3-3 N-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 2.3 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V 1 858Na stanie magazynowym
6 000Oczekiwane: 25.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 60 V 6 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 9.3 nC - 55 C + 175 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel