SCT3x 3rd Generation SiC Trench MOSFETs

ROHM Semiconductor SCT3x series SiC Trench MOSFETs utilize a proprietary trench gate structure that reduces ON resistance by 50% and input capacitance by 35% compared with planar-type SiC MOSFETs. This design results in significantly lower switching loss and faster switching speeds, improving operational efficiency while reducing power loss in a variety of equipment. ROHM Semiconductor SCT3x includes 650V and 1200V variants for broad applicability.

Wyniki: 31
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania Opakowanie/obudowa Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Kwalifikacje
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS 1 034Na stanie magazynowym
90,51 zł
56,32 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 31 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 60 nC - 55 C + 175 C 165 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 72A 339W SIC 30mOhm TO-247N
341Na stanie magazynowym
248,03 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 72 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 131 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs 650V 118A 427W SIC 17mOhm TO-247N
351Na stanie magazynowym
454,87 zł
435,95 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247N-3 1 Channel 650 V 118 A 22.1 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 172 nC - 55 C + 175 C 427 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs Nch 1200V 95A SiC TO-247N 495Na stanie magazynowym
184,36 zł
163,37 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247N-3 1 Channel 1.2 kV 95 A 28.6 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 178 nC - 55 C + 175 C 427 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS 683Na stanie magazynowym
294,49 zł
260,92 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 72 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 131 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 55A 262W SIC 40mOhm TO-247N
450Na stanie magazynowym
187,04 zł
162,05 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 55 A 52 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 107 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N
199Na stanie magazynowym
473,40 zł
461,43 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247N-3 1 Channel 1.2 kV 95 A 28.6 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 178 nC - 55 C + 175 C 427 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 24A 134W SIC 105mOhm TO-247N
1 619Na stanie magazynowym
75,55 zł
58,43 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 24 A 137 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 51 nC + 175 C 134 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs 650V 70A 262W SIC 30mOhm TO-247N
366Na stanie magazynowym
176,40 zł
153,38 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 70 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 104 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs 650V 39A 165W SIC 60mOhm TO-247N
428Na stanie magazynowym
94,38 zł
67,54 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 39 A 78 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC + 175 C 165 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs Nch 1200V 24A SiC TO-247N 169Na stanie magazynowym
65,82 zł
58,83 zł
56,41 zł
56,01 zł
53,15 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 24 A 137 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 51 nC + 175 C 134 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs 650V 30A 134W SIC 80mOhm TO-247N
366Na stanie magazynowym
73,74 zł
52,18 zł
51,70 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247N-3 1 Channel 650 V 30 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 48 nC + 175 C 134 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 31A 165W SIC 80mOhm TO-247N
171Na stanie magazynowym
97,94 zł
71,19 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 31 A 80 mOhms - 4 V, + 22 V 2.7 V 60 nC - 55 C + 175 C 165 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs 650V 21A 103W SIC 120mOhm TO-247N
450Na stanie magazynowym
33,18 zł
23,10 zł
22,40 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 21 A 156 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 38 nC + 175 C 103 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs TO247 650V 39A N-CH SIC 704Na stanie magazynowym
100,98 zł
65,65 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 39 A 60 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC - 55 C + 175 C 165 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs TO247 1.2KV 55A N-CH SIC 61Na stanie magazynowym
203,68 zł
157,56 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 55 A 40 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 107 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs TO247 1.2KV 31A N-CH SIC 150Na stanie magazynowym
71,98 zł
42,59 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 31 A 80 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 60 nC - 55 C + 175 C 165 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs TO247 650V 70A N-CH SIC 195Na stanie magazynowym
194,74 zł
149,12 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 70 A 30 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 104 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs 650V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3080AR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver 529Na stanie magazynowym
81,88 zł
64,81 zł
56,10 zł
53,06 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 30 A 80 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 48 nC - 55 C + 175 C 134 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs 1200V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3105KR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver 87Na stanie magazynowym
70,53 zł
54,12 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 24 A 105 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 51 nC - 55 C + 175 C 134 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 160mO 3rd Gen TO-263-7LA 990Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
37,44 zł
20,64 zł
19,23 zł
Opakowanie zbiorcze
18,17 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7LA 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 100 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs 1200V, 17A, 7-pin SMD, Trench-structure, (SiC) MOSFET 753Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
36,61 zł
20,15 zł
18,66 zł
Opakowanie zbiorcze
17,64 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7LA 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 100 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS 198Na stanie magazynowym
212,56 zł
152,46 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 93 A 28.6 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 133 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS 84Na stanie magazynowym
128,26 zł
83,07 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 70 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 104 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS 1 069Na stanie magazynowym
63,80 zł
35,68 zł
34,80 zł
34,76 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 39 A 78 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC + 175 C 165 W Enhancement