Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) offer dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power diodes. SiC devices offer a much greater dielectric breakdown field strength, higher bandgap, and higher thermal conductivity compared to Silicon-only devices. SiC SBDs feature zero forward and reverse recovery charges, reducing diode switching losses. These devices also offer temperature-independent switching, ensuring stable high-temperature performance.

Rodzaje elementów dyskretnych półprzewodnikowych
Zmień widok kategorii
Wyniki: 33
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Rodzaj produktu
Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Microchip Technology SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4
Karta charakterystyki
258Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
Microchip Technology SiC Schottky Diodes SIC SBD 1200 V 30 A TO-220
Karta charakterystyki
826Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Microchip Technology SiC MOSFETs FG, SIC MOSFET, TO-247 4-LEAD
Karta charakterystyki
962Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
Microchip Technology SiC Schottky Diodes 700 V, 10 A SiC SBD
Karta charakterystyki
623Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Microchip Technology SiC Schottky Diodes SIC SBD 1200 V 30 A TO-247
Karta charakterystyki
43Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-3
Microchip Technology SiC Schottky Diodes UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD
Karta charakterystyki
141Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology SiC Schottky Diodes 1200 V, 30 A SiC SBD
Karta charakterystyki
575Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology SiC Schottky Diodes SIC SBD 1200 V 50 A TO-247
Karta charakterystyki
876Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2

Microchip Technology SiC Schottky Diodes SIC SBD 1200 V 50 A TO-247
Karta charakterystyki
76Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-3
Microchip Technology SiC MOSFETs MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-247
Karta charakterystyki
633Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
Microchip Technology SiC Schottky Diodes UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD
Karta charakterystyki
18Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology SiC Schottky Diodes 1200 V, 10 A SiC SBD
Karta charakterystyki
82Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology SiC Schottky Diodes 1200 V, 10 A SiC SBD
Karta charakterystyki
75Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Microchip Technology SiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247-4
Karta charakterystyki
19Na stanie magazynowym
90Oczekiwane: 26.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
Microchip Technology SiC Schottky Diodes SIC SBD 700 V 30 A TO-247
Karta charakterystyki
159Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology SiC Schottky Diodes 700 V, 20 A SiC SBD
Karta charakterystyki
350Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Microchip Technology SiC Schottky Diodes SIC SBD 1200 V 30 A TO-268
Karta charakterystyki
25Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK
Microchip Technology SiC MOSFETs MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247
Karta charakterystyki
10Na stanie magazynowym
360Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
Microchip Technology SiC Schottky Diodes 700 V, 50 A SiC SBD
Karta charakterystyki
105Na stanie magazynowym
150Oczekiwane: 10.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology SiC Schottky Diodes SIC SBD 1200 V 50 A TO-268
Karta charakterystyki
41Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK
Microchip Technology SiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-247-4
Karta charakterystyki
55Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
Microchip Technology SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4
Karta charakterystyki
148Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
Microchip Technology SiC MOSFETs MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-268
Karta charakterystyki
110Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SMD/SMT D3PAK-3
Microchip Technology SiC MOSFETs MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247-4
Karta charakterystyki
509Oczekiwane: 16.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
Microchip Technology SiC Schottky Diodes UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD
Karta charakterystyki
450Oczekiwane: 21.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2