Wyniki: 28
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Nazwa handlowa Opakowanie
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V 4 330Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 6 000
Si SMD/SMT WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 100 V 13 A 6.5 mOhms 20 V 3.8 V 43 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V 1 426Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 248 A 2.6 mOhms 20 V 3.8 V 89 nC - 55 C + 175 C 313 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V 5 095Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 85 A 6.5 mOhms 20 V 3.8 V 34 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 5 power MOSFET 100 V in a TO-220 package 679Na stanie magazynowym
500Oczekiwane: 01.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 2.3 mOhms 20 V 3.8 V 168 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V 2 753Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 100 V 273 A 2.05 mOhms 20 V 3.8 V 107 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V 2 738Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 80 V 99 A 4.6 mOhms 20 V 2.3 V 38 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V 3 197Na stanie magazynowym
5 000Oczekiwane: 08.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 1 000
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 198 A 2.55 mOhms 20 V 3.9 V - 55 C + 175 C 217 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V 434Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 44 A 8.3 mOhms 20 V 3.8 V 30 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V 905Na stanie magazynowym
6 000Oczekiwane: 28.01.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 6 000
Si SMD/SMT WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 80 V 16 A 5 mOhms 20 V 3.8 V 44 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V 107Na stanie magazynowym
6 000Oczekiwane: 22.04.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 6 000
Si SMD/SMT WHSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 13 A 6.5 mOhms 20 V 3.8 V 43 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V 1 605Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 333 A 1.3 mOhms 20 V 4.1 V 158 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies IPP034N08N5XKSA1
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V 615Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 3.4 mOhms 20 V 3.8 V 69 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V 55Na stanie magazynowym
12 600Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 800
Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 80 V 408 A 1.1 mOhms 20 V 3.8 V 223 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V 266Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 101 A 5 mOhms 20 V 3.8 V 35 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V 92Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 101 A 5 mOhms 20 V 3.8 V 35 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
7 200Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 800

Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 100 V 365 A 1.4 mOhms 20 V 3.8 V 211 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
11 470Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 6 000

Si SMD/SMT WHSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 99 A 20 V 2.3 V - 55 C + 175 C Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
11 751Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TFN-10 N-Channel 2 Channel 100 V 139 A 4 mOhms 20 V 3.8 V 52 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
10 000Oczekiwane: 20.05.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 99 A 4.6 mOhms 20 V 2.3 V 38 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
5 000Oczekiwane: 17.06.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 80 V 323 A 1.57 mOhms 20 V 3.8 V 106 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
5 979Oczekiwane: 26.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 6 000

Si SMD/SMT WHSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 99 A 20 V 2.3 V - 55 C + 175 C Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
10 000Oczekiwane: 08.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 85 A 6.5 mOhms 20 V 3.8 V 34 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V Czas realizacji 52 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 6 000

Si SMD/SMT WHSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 16 A 5 mOhms 20 V 3.8 V 44 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 53 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 4 000

Si SMD/SMT WSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 202 A 2.3 mOhms 20 V 2.2 V 78 nC - 55 C + 175 C 3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies IPP020N08N5XKSA1
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 8 tygodni
Min.: 500
Wielokr.: 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 2 mOhms 20 V 3.8 V 178 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Tube