Moduły MOSFET SIC – Mouser Polska

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Tranzystory MOSFET CoolSiC™ 650V G2

Tranzystory MOSFET CoolSiC™ 650V G2 firmy Infineon wykorzystują wydajność możliwości węglika krzemu, co przekłada się na wyższą wydajność podczas konwersji mocy. Tranzystory MOSFET CoolSiC 650 V G2 firmy Infineon zapewniają korzyści w różnorodnych zastosowaniach półprzewodnikowych, takich jak fotowoltaika, magazynowanie energii, ładowanie pojazdów elektrycznych prądem stałym, napędy silnikowe i zasilacze przemysłowe. Stacja szybkiego ładowania DC pojazdów elektrycznych wyposażona w CoolSiC G2 pozwala na zmniejszenie strat energii w stosunku do poprzednich generacji nawet o 10%, jednocześnie zapewniając większą wydajność ładowania bez kompromisów w zakresie kształtu.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 53

Zastosowane filtry:

Styl mocowania

Opakowanie/obudowa

Liczba kanałów

Vds – Napięcie przebicia dren–źródło

Id – Ciągły prąd drenu

Rds On – rezystancja dren–źródło

Vgs – Napięcie bramka–źródło

Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło

Qg – ładunek bramki

Minimalna temperatura robocza

Maksymalna temperatura robocza

Pd – strata mocy

Tryb kanału

Nazwa handlowa

Resetuj wszystko

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Obraz	Nr części	Produc.	Opis	Karta charakterystyki	Dostępność	Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.	Il.	Styl mocowania	Opakowanie/obudowa	Liczba kanałów	Vds – Napięcie przebicia dren–źródło	Id – Ciągły prąd drenu	Rds On – rezystancja dren–źródło	Vgs – Napięcie bramka–źródło	Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło	Qg – ładunek bramki	Minimalna temperatura robocza	Maksymalna temperatura robocza	Pd – strata mocy	Tryb kanału	Nazwa handlowa
SiC MOSFETs Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling IMLT65R033M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 43,12 zł 849Na stanie magazynowym 1 800Oczekiwane: 03.06.2027	Produc. Nr części IMLT65R033M2HXTMA1 Nr części Mouser 726-IMLT65R033M2HXTM	Infineon Technologies	SiC MOSFETs Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Karta charakterystyki	849Na stanie magazynowym 1 800Oczekiwane: 03.06.2027	Odcinek taśmy 43,12 zł 24,11 zł 23,14 zł 21,91 zł Opakowanie zbiorcze 21,91 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 1 800	SMD/SMT		1 Channel	650 V	68 A	41 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.6 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	312 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMLT65R040M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 35,86 zł 1 758Na stanie magazynowym	Produc. Nr części IMLT65R040M2HXTMA1 Nr części Mouser 726-IMLT65R040M2HXTM	Infineon Technologies	SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Karta charakterystyki	1 758Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 35,86 zł 20,24 zł 18,66 zł 18,00 zł 16,59 zł Opakowanie zbiorcze 16,59 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 1 800	SMD/SMT	TOLT-16	1 Channel	650 V		40 mOhms							Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMLT65R050M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 31,55 zł 1 818Na stanie magazynowym 1 800Dostępna ilość z otwartych zamówień	Produc. Nr części IMLT65R050M2HXTMA1 Nr części Mouser 726-IMLT65R050M2HXTM	Infineon Technologies	SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Karta charakterystyki	1 818Na stanie magazynowym 1 800Dostępna ilość z otwartych zamówień	Odcinek taśmy 31,55 zł 17,56 zł 16,10 zł 15,62 zł 13,95 zł Opakowanie zbiorcze 13,95 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 1 800	SMD/SMT	TOLT-16	1 Channel	650 V		50 mOhms							Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMLT65R060M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 27,28 zł 1 727Na stanie magazynowym	Produc. Nr części IMLT65R060M2HXTMA1 Nr części Mouser 726-IMLT65R060M2HXTM	Infineon Technologies	SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Karta charakterystyki	1 727Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 27,28 zł 14,61 zł 13,38 zł 12,67 zł 11,97 zł Opakowanie zbiorcze 11,97 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 1 800	SMD/SMT	TOLT-16	1 Channel	650 V		60 mOhms							Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMTA65R050M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 30,67 zł 2 042Na stanie magazynowym	Produc. Nr części IMTA65R050M2HXTMA1 Nr części Mouser 726-IMTA65R050M2HXTM	Infineon Technologies	SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Karta charakterystyki	2 042Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 30,67 zł 16,63 zł 15,27 zł 14,61 zł 13,07 zł Opakowanie zbiorcze 13,07 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 2 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel			50 mOhms							Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2 IMW65R010M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 97,50 zł 238Na stanie magazynowym 240Oczekiwane: 30.11.2026	Produc. Nr części IMW65R010M2HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMW65R010M2HXKSA	Infineon Technologies	SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2 Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Karta charakterystyki	238Na stanie magazynowym 240Oczekiwane: 30.11.2026	97,50 zł 61,91 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	130 A	13.1 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.6 V	112 nC	- 55 C	+ 175 C	440 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2 IMW65R026M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 56,36 zł 718Na stanie magazynowym	Produc. Nr części IMW65R026M2HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMW65R026M2HXKSA	Infineon Technologies	SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2 Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Karta charakterystyki	718Na stanie magazynowym	56,36 zł 31,72 zł 31,06 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	64 A	33 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.6 V	42 nC	- 55 C	+ 175 C	227 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R040M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 39,95 zł 999Na stanie magazynowym	Produc. Nr części IMW65R040M2HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMW65R040M2HXKSA	Infineon Technologies	SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Karta charakterystyki	999Na stanie magazynowym	39,95 zł 26,05 zł 23,54 zł 19,84 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	46 A	49 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.6 V	28 nC	- 55 C	+ 175 C	172 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R050M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 34,32 zł 627Na stanie magazynowym 720Oczekiwane: 19.11.2026	Produc. Nr części IMW65R050M2HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMW65R050M2HXKSA	Infineon Technologies	SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Karta charakterystyki	627Na stanie magazynowym 720Oczekiwane: 19.11.2026	34,32 zł 20,06 zł 18,52 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 Maks.: 240	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	38 A	62 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.6 V	22 nC	- 55 C	+ 175 C	153 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2 IMZA65R033M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 50,07 zł 1 415Na stanie magazynowym 15 840Dostępna ilość z otwartych zamówień	Produc. Nr części IMZA65R033M2HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMZA65R033M2HXKS	Infineon Technologies	SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2 Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Karta charakterystyki	1 415Na stanie magazynowym 15 840Dostępna ilość z otwartych zamówień Terminy wysyłek bieżących zamówień Nr prod.: IMZA65R033M2HXKSA1 Stany magazynowe: 1 415 Wysylamy natychmiast Dostępna ilość z otwartych zamówień: 3 600 Oczekiwane: 30.11.2026 3 120 Oczekiwane: 05.08.2027 9 120 Oczekiwane: 07.10.2027 Średni czas produkcji: 52 tygodni	50,07 zł 30,14 zł 26,27 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	53 A	41 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.6 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	194 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMLT65R015M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 72,73 zł 14Na stanie magazynowym 3 600Oczekiwane: 10.12.2026	Produc. Nr części IMLT65R015M2HXTMA1 Nr części Mouser 726-IMLT65R015M2HXTM	Infineon Technologies	SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Karta charakterystyki	14Na stanie magazynowym 3 600Oczekiwane: 10.12.2026	Odcinek taśmy 72,73 zł 50,95 zł 47,96 zł 42,72 zł 40,44 zł Opakowanie zbiorcze 39,91 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 1 800	SMD/SMT	TOLT-16	1 Channel	650 V		15 mOhms							Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R020M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 67,80 zł 15Na stanie magazynowym 1 440Dostępna ilość z otwartych zamówień	Produc. Nr części IMW65R020M2HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMW65R020M2HXKSA	Infineon Technologies	SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Karta charakterystyki	15Na stanie magazynowym 1 440Dostępna ilość z otwartych zamówień Terminy wysyłek bieżących zamówień Nr prod.: IMW65R020M2HXKSA1 Stany magazynowe: 15 Wysylamy natychmiast Dostępna ilość z otwartych zamówień: 240 Oczekiwane: 29.07.2027 1 200 Oczekiwane: 05.08.2027 Średni czas produkcji: 52 tygodni	67,80 zł 38,63 zł 36,61 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	83 A	24 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.6 V	57 nC	- 55 C	+ 175 C	273 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2 IMW65R033M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 48,88 zł 199Na stanie magazynowym Nowości w Mouser	Produc. Nr części IMW65R033M2HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMW65R033M2HXKSA Nowości w Mouser	Infineon Technologies	SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2 Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Karta charakterystyki	199Na stanie magazynowym	48,88 zł 27,10 zł 25,83 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	53 A	41 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.6 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	194 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R007M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 132,57 zł 6Na stanie magazynowym 720Oczekiwane: 07.10.2027	Produc. Nr części IMZA65R007M2HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMZA65R007M2HXKS	Infineon Technologies	SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Karta charakterystyki	6Na stanie magazynowym 720Oczekiwane: 07.10.2027	132,57 zł 92,49 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	210 A	8.5 mOhms	- 18 V, + 18 V	5.6 V	439 nC	- 55 C	+ 175 C	625 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R050M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 38,06 zł 185Na stanie magazynowym 240Oczekiwane: 05.08.2027	Produc. Nr części IMZA65R050M2HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMZA65R050M2HXKS	Infineon Technologies	SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Karta charakterystyki	185Na stanie magazynowym 240Oczekiwane: 05.08.2027	38,06 zł 20,55 zł 19,01 zł 18,61 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	38 A	62 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.6 V	22 nC	- 55 C	+ 175 C	153 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2 IMZA65R060M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 34,94 zł 294Na stanie magazynowym 240Oczekiwane: 03.06.2027	Produc. Nr części IMZA65R060M2HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMZA65R060M2HXKS	Infineon Technologies	SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2 Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Karta charakterystyki	294Na stanie magazynowym 240Oczekiwane: 03.06.2027	34,94 zł 22,40 zł 17,20 zł 16,59 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	32.8 A	73 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.6 V	19 nC	- 55 C	+ 175 C	130 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMTA65R060M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 28,34 zł 10Na stanie magazynowym	Produc. Nr części IMTA65R060M2HXTMA1 Nr części Mouser 726-IMTA65R060M2HXTM	Infineon Technologies	SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Karta charakterystyki	10Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 28,34 zł 16,85 zł 14,26 zł 12,72 zł 11,62 zł Opakowanie zbiorcze 11,62 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 2 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel			60 mOhms							Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R075M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 30,76 zł 2Na stanie magazynowym 240Dostępna ilość z otwartych zamówień Nowe produkty	Produc. Nr części IMZA65R075M2HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMZA65R075M2HXKS Nowe produkty	Infineon Technologies	SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Karta charakterystyki	2Na stanie magazynowym 240Dostępna ilość z otwartych zamówień	30,76 zł 16,28 zł 14,96 zł 14,04 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	26.6 A	95 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.6 V	14.9 nC	- 55 C	+ 175 C	111 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMT65R015M2HXUMA1 Infineon Technologies 1: 71,98 zł 4 000Dostępna ilość z otwartych zamówień Nowe produkty	Produc. Nr części IMT65R015M2HXUMA1 Nr części Mouser 726-IMT65R015M2HXUMA Nowe produkty	Infineon Technologies	SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Karta charakterystyki	4 000Dostępna ilość z otwartych zamówień Terminy wysyłek bieżących zamówień Nr prod.: IMT65R015M2HXUMA1 Stany magazynowe: 0 Dostępna ilość z otwartych zamówień: 2 000 Oczekiwane: 29.04.2027 2 000 Oczekiwane: 20.05.2027 Średni czas produkcji: 52 tygodni	Odcinek taśmy 71,98 zł 53,72 zł 46,46 zł 44,00 zł 41,67 zł Opakowanie zbiorcze 41,67 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 2 000	SMD/SMT	HSOF-8	1 Channel	650 V	131 A	18 mOhms	- 7 V to 23 V	4.5 V	148 nC	- 55 C	+ 175 C	535 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMT65R040M2HXUMA1 Infineon Technologies 1: 35,95 zł 3 972Oczekiwane: 24.06.2027 Nowe produkty	Produc. Nr części IMT65R040M2HXUMA1 Nr części Mouser 726-IMT65R040M2HXUMA Nowe produkty	Infineon Technologies	SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Karta charakterystyki	3 972Oczekiwane: 24.06.2027	Odcinek taśmy 35,95 zł 24,55 zł 20,28 zł 18,08 zł 17,07 zł Opakowanie zbiorcze 17,07 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 2 000	SMD/SMT	HSOF-8	1 Channel	650 V	58.7 A	49 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.6 V	28 nC	- 55 C	+ 175 C	277 W	Enhancement
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2 IMZA65R026M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 57,82 zł 2 313Dostępna ilość z otwartych zamówień	Produc. Nr części IMZA65R026M2HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMZA65R026M2HXKS	Infineon Technologies	SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2 Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Karta charakterystyki	2 313Dostępna ilość z otwartych zamówień Terminy wysyłek bieżących zamówień Nr prod.: IMZA65R026M2HXKSA1 Stany magazynowe: 0 Dostępna ilość z otwartych zamówień: 1 833 Oczekiwane: 05.08.2027 480 Oczekiwane: 07.10.2027 Średni czas produkcji: 52 tygodni	57,82 zł 38,63 zł 33,53 zł 32,03 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	64 A	33 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.6 V	42 nC	- 55 C	+ 175 C	227 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R040M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 43,30 zł 15 600Oczekiwane: 17.06.2027	Produc. Nr części IMZA65R040M2HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMZA65R040M2HXKS	Infineon Technologies	SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Karta charakterystyki	15 600Oczekiwane: 17.06.2027	43,30 zł 24,38 zł 21,87 zł 20,99 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	46 A	49 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.6 V	28 nC	- 55 C	+ 175 C	172 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMTA65R040M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 35,68 zł 2 000Oczekiwane: 26.11.2026	Produc. Nr części IMTA65R040M2HXTMA1 Nr części Mouser 726-IMTA65R040M2HXTM	Infineon Technologies	SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Karta charakterystyki	2 000Oczekiwane: 26.11.2026	Odcinek taśmy 35,68 zł 19,49 zł 17,91 zł 17,69 zł 16,68 zł Opakowanie zbiorcze 15,62 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 2 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel			40 mOhms							Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2 IMW65R060M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 34,14 zł 2 862Dostępna ilość z otwartych zamówień	Produc. Nr części IMW65R060M2HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMW65R060M2HXKSA	Infineon Technologies	SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2 Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Karta charakterystyki	2 862Dostępna ilość z otwartych zamówień Terminy wysyłek bieżących zamówień Nr prod.: IMW65R060M2HXKSA1 Stany magazynowe: 0 Dostępna ilość z otwartych zamówień: 462 Oczekiwane: 05.08.2027 2 400 Oczekiwane: 23.09.2027 Średni czas produkcji: 52 tygodni	34,14 zł 18,26 zł 16,46 zł 15,88 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	32.8 A	73 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.6 V	19 nC	- 55 C	+ 175 C	130 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2 IMZA65R010M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 104,19 zł 719Dostępna ilość z otwartych zamówień	Produc. Nr części IMZA65R010M2HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMZA65R010M2HXKS	Infineon Technologies	SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2 Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Karta charakterystyki	719Dostępna ilość z otwartych zamówień Terminy wysyłek bieżących zamówień Nr prod.: IMZA65R010M2HXKSA1 Stany magazynowe: 0 Dostępna ilość z otwartych zamówień: 479 Oczekiwane: 22.07.2027 240 Oczekiwane: 16.09.2027 Średni czas produkcji: 52 tygodni	104,19 zł 73,92 zł 67,23 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	144 A	13.1 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.6 V	112 nC	- 55 C	+ 175 C	440 W	Enhancement	CoolSiC