Tranzystory MOSFET CoolSiC™ 650V G2

Tranzystory MOSFET CoolSiC™ 650V G2 firmy Infineon wykorzystują wydajność możliwości węglika krzemu, co przekłada się na wyższą wydajność podczas konwersji mocy. Tranzystory  MOSFET CoolSiC 650 V G2 firmy Infineon zapewniają korzyści w różnorodnych zastosowaniach półprzewodnikowych, takich jak fotowoltaika, magazynowanie energii, ładowanie pojazdów elektrycznych prądem stałym, napędy silnikowe i zasilacze przemysłowe. Stacja szybkiego ładowania DC pojazdów elektrycznych wyposażona w CoolSiC G2 pozwala na zmniejszenie strat energii w stosunku do poprzednich generacji nawet o 10%, jednocześnie zapewniając większą wydajność ładowania bez kompromisów w zakresie kształtu.

Wyniki: 53
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
798Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC + 175 C 124 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
771Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 800

SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 650 V 34.7 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 849Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

TOLL-8 650 V 75 mOhms
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
156Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

SMD/SMT LHSOF-4 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 141 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
262Na stanie magazynowym
240Oczekiwane: 13.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 26.6 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
183Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 26.6 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
1 930Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Karta charakterystyki
256Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 158 A 13.1 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 112 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Karta charakterystyki
940Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 33 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Karta charakterystyki
280Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 41 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Karta charakterystyki
416Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 34.9 A 73 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 18 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
901Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 94 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 499 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
499Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 97 A 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 394 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
Karta charakterystyki
929Na stanie magazynowym
1 800Oczekiwane: 01.10.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 800

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
840Na stanie magazynowym
2 000Oczekiwane: 28.01.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 168 A 13.1 mOhms - 7V, + 23 V 4.5 V 113 nC - 55 C + 175 C 681 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
375Na stanie magazynowym
2 000Oczekiwane: 11.02.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 81 A 33 mOhms 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 365 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
2 301Na stanie magazynowym
2 000Oczekiwane: 06.07.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
870Na stanie magazynowym
2 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 41.4 A 73 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 208 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
Karta charakterystyki
1 968Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

SMD/SMT PG-LHSOF-4 N-Channel 650 V 79 A 33 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V G2
Karta charakterystyki
1 712Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

SMD/SMT PG-LHSOF-4 N-Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
Karta charakterystyki
259Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 130 A 13.1 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 112 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
Karta charakterystyki
538Na stanie magazynowym
240Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 64 A 33 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
Karta charakterystyki
213Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 53 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2
Karta charakterystyki
992Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 32.8 A 73 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
11 342Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 20 mOhms Enhancement CoolSiC