200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs offer a broad range of MOSFETs in various packages, current and RDS(on) ratings. These 200V to 250V HEXFET Power MOSFETs utilize the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with fast switching speed and ruggedized device design provides an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Wyniki: 26
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Opakowanie

Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC 23 388Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 50 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 156 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC Qg 7 819Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 72 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 100 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies IRFB4332PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFETs TRENCH >=100V 1 000Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Reel, Cut Tape

Infineon Technologies MOSFETs IR FET >60-400V 1 029Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 250 V 93 A 17.5 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 180 nC - 55 C + 175 C 520 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IR FET >60-400V 1 489Na stanie magazynowym
5 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 200 V 76 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 69 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC 36 789Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 18 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 44.7 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IRFP4227PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFETs IR FET >60-400V 1 038Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Tube
Infineon Technologies IRFB4227PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFETs IR FET >60-400V 5 409Na stanie magazynowym
4 000Oczekiwane: 11.02.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Tube
Infineon Technologies IRFB4229PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFETs IR FET >60-400V 942Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 03.12.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 250 V 46 A 46 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 72 nC - 40 C + 175 C 330 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IRFP4668PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFETs IR FET >60-400V 13 433Na stanie magazynowym
13 200Oczekiwane: 28.01.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 200 V 130 A 9.7 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 161 nC - 55 C + 175 C 520 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC 7 442Na stanie magazynowym
38 700Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 18 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 44.7 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFETs 200V, 3.7A, 78 mOhm 29 nC Qg, SO-8 2 542Na stanie magazynowym
4 000Oczekiwane: 10.12.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 4 000

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 200 V 3.7 A 78 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 28 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC 4 359Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 44 A 54 mOhms - 30 V, 30 V 1.8 V 91 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud 6 482Na stanie magazynowym
2 000Oczekiwane: 18.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 18 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 18 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC 3 966Na stanie magazynowym
17 600Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 30 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC 2 139Na stanie magazynowym
2 400Oczekiwane: 07.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 50 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 156 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg 7 130Na stanie magazynowym
15 000Oczekiwane: 10.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 200 V 24 A 78 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 25 nC - 55 C + 175 C 144 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg 4 250Na stanie magazynowym
6 400Oczekiwane: 28.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 62 A 26 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 70 nC - 40 C + 175 C 330 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 250V 45A 48mOhm 72nC Qg 2 961Na stanie magazynowym
3 200Oczekiwane: 04.02.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 250 V 45 A 48 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 72 nC - 40 C + 175 C 330 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg 6 041Na stanie magazynowym
20 800Oczekiwane: 28.01.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 24 A 77.5 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 38 nC - 55 C + 175 C 144 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC 3 125Na stanie magazynowym
2 400Oczekiwane: 03.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 30 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 82 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC 9 937Na stanie magazynowym
12 000Oczekiwane: 28.01.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 200 V 600 mA 2.2 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 3.9 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies IRFP4229PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFETs IR FET >60-400V 544Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 250 V 44 A 46 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 72 nC - 40 C + 175 C 310 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC 483Na stanie magazynowym
2 400Oczekiwane: 26.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 44 A 54 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 60 nC - 55 C + 175 C 320 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC 110Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 9.3 A 300 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 23.3 nC - 55 C + 175 C 82 W Enhancement Tube