UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETs

onsemi UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETs are high-performance devices that deliver Figures of Merit that lower conduction losses and increase efficiency at higher speeds, improving overall cost-effectiveness. Available in 5.4mΩ to 60mΩ options, the Gen 4 series is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. The standard gate-drive characteristics of the UJ4C/SC 750V FETs allow for "drop-in replacement" functionality. Designers can enhance system performance without changing gate drive voltage by replacing existing Si IGBTs, Si FETs, SiC FETs, or Si super-junction devices with the onsemi UJ4C/SC FETs.

Wyniki: 29
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania Opakowanie/obudowa Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Kwalifikacje Nazwa handlowa
onsemi SiC MOSFETs 750V/6MOSICFETG4TO247-4 384Na stanie magazynowym
207,94 zł
148,37 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 120 A 5.9 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/18MOSICFETG4TO263-7 278Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
92,58 zł
69,12 zł
59,80 zł
53,59 zł
Opakowanie zbiorcze
53,59 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 72 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 259 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/18MOSICFETG4TO247 618Na stanie magazynowym
52,84 zł
30,36 zł
30,10 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 600
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/60MOSICFETG4TO247-4 562Na stanie magazynowym
52,84 zł
37,44 zł
32,78 zł
27,63 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/33MOSICFETG4TO263 306Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
57,55 zł
33,70 zł
31,90 zł
Opakowanie zbiorcze
31,90 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 44 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/44MOSICFETG4TO263 648Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
53,11 zł
30,40 zł
28,78 zł
Opakowanie zbiorcze
28,78 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 35.6 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/60MOSICFETG4TO263 1 266Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
29,79 zł
16,10 zł
15,93 zł
15,36 zł
Opakowanie zbiorcze
15,36 zł
13,42 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 25.8 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/60MOSICFETG4TO247 1 258Na stanie magazynowym
58,61 zł
34,94 zł
29,74 zł
27,37 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/11MOSICFETG4TO263-7 279Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
111,94 zł
88,66 zł
82,68 zł
74,76 zł
Opakowanie zbiorcze
74,76 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7L 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/5MOSICFETG4TOLL 1 719Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
193,12 zł
155,89 zł
142,69 zł
Opakowanie zbiorcze
142,69 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 120 A 5 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 1.153 kW Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/8MOSICFETG4TOLL 714Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
128,22 zł
93,68 zł
89,41 zł
88,66 zł
Opakowanie zbiorcze
88,66 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 2 000
: 2 000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 106 A 8 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/18MOSICFETG4TOLL 2 497Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
86,90 zł
56,36 zł
53,15 zł
50,34 zł
Opakowanie zbiorcze
50,34 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 53 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 349 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/33MOSICFETG4TOLL 2 815Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
59,62 zł
35,29 zł
33,40 zł
Opakowanie zbiorcze
33,40 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 44 A 33 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/44MOSICFETG4TOLL 2 570Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
52,76 zł
30,14 zł
28,51 zł
Opakowanie zbiorcze
28,51 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 35.6 A 44 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/60MOSICFETG4TOLL 3 269Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
43,56 zł
24,38 zł
23,45 zł
22,18 zł
Opakowanie zbiorcze
22,18 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 27.8 A 58 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/23MOSICFETG4TOLL 1 266Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
72,64 zł
51,74 zł
45,54 zł
42,55 zł
Opakowanie zbiorcze
42,55 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 64 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/44MOSICFETG4TO247 6 703Na stanie magazynowym
58,78 zł
33,62 zł
31,24 zł
31,06 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 37.4 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/23MOSICFETG4TO247 260Na stanie magazynowym
600Oczekiwane: 18.12.2026
46,68 zł
25,74 zł
24,29 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 600
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 66 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/23MOSICFETG4TO247 1 781Na stanie magazynowym
48,58 zł
27,28 zł
26,58 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 600
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 66 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/33MOSICFETG4TO247 191Na stanie magazynowym
59,14 zł
33,44 zł
33,09 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 47 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/33MOSICFETG4TO247 289Na stanie magazynowym
64,42 zł
36,61 zł
34,41 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 47 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/44MOSICFETG4TO247 395Na stanie magazynowym
46,16 zł
25,43 zł
23,94 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 600
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 37.4 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/9MOSICFETG4TO263-7 271Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
126,76 zł
92,31 zł
87,43 zł
Opakowanie zbiorcze
87,43 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 106 A 9 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/11MOSICFETG4TO247-4 767Na stanie magazynowym
74,93 zł
55,97 zł
48,40 zł
45,80 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 600
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/18MOSICFETG4TO247 10Na stanie magazynowym
600Oczekiwane: 09.11.2026
88,62 zł
54,82 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 600
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET