SSM3 High Current MOSFETs

Toshiba SSM3 High Current MOSFETs provide a high drain current rating, low capacitance, low on-resistance, and fast switching. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) are semiconductor devices used for switching and amplifying electronic signals in electronic devices. Toshiba SSM3 High Current MOSFETs are ideal for mobile devices (wearable devices, smartphones, tablet PCs, etc.), load switches, DC-DC converters, and general-purpose switches. 

Wyniki: 36
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Kwalifikacje Nazwa handlowa Opakowanie
Toshiba MOSFETs Small-signal MOSFET ID: 1.4A, VDSS: 20V 115 271Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 10 000

Si SMD/SMT CST3-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1.4 A 840 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small-Signal MOSFET 165 046Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 10 000

Si SMD/SMT CST3-3 P-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 20 Ohms - 10 V, 10 V 1 V - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=--0.4A VDSS=-60V 31 655Na stanie magazynowym
36 000Oczekiwane: 04.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-346-3 P-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.3 Ohms - 20 V, 10 V 2 V 3 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS 39 611Na stanie magazynowym
156 000Oczekiwane: 21.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 60 V 3.5 A 164 mOhms - 20 V, 10 V 800 mV 15.1 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=-6A VDSS=-20V 118 134Na stanie magazynowym
60 000Oczekiwane: 21.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 23 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 16.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V 44 393Na stanie magazynowym
51 000Oczekiwane: 05.01.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 60 V 2 A 300 mOhms - 20 V, 10 V 800 mV + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=-6A VDSS=-20V 130 852Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 17.5 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 38.5 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small-signal MOSFET ID 0.4A, VDSS 30V 33 046Na stanie magazynowym
21 000Oczekiwane: 31.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-323 N-Channel 1 Channel 30 V 400 mA 700 mOhms - 20 V, 20 V 1.1 V + 150 C 150 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small Signal MOSFET 173 274Na stanie magazynowym
99 000Oczekiwane: 21.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 40 V 2 A 185 mOhms - 8 V, 8 V 850 mV + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=20V 24 439Na stanie magazynowym
27 000Oczekiwane: 21.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 20 V 4 A 25 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 3.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small-signal Nch MOSFET ID: 0.15A 188 375Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 60 V 170 mA 2.8 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 350 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small-signal Nch MOSFET 270 467Na stanie magazynowym
20 000Oczekiwane: 21.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 10 000

Si SMD/SMT CST3-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 600 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs SMOS Low RON Vds:-60 V Vgss:+10/-20V Id: 7 013Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT S-Mini-3 P-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 2 Ohms - 20 V, 10 V 2 V 3 nC + 150 C 1.2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=3A VDSS=20V 161Na stanie magazynowym
18 000Oczekiwane: 11.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 20 V 3 A 51 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 2 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs SMOS Low RON Nch Io: 0.4A Vdss: 60V Vgss 671Na stanie magazynowym
3 000Oczekiwane: 07.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT USM-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.75 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 390 pC + 150 C 700 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small-signal MOSFET ID -5.4A, VDSS -12V 3 355Na stanie magazynowym
9 000Oczekiwane: 31.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel 1 Channel 12 V 5.4 A 14 mOhms - 6 V, 6 V 1 V 33 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small-signal MOSFET ID -2A, VDSS -30V 3 790Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-346-3 P-Channel 1 Channel 30 V 2 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 3.4 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V 11 613Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-416-3 P-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 1.1 Ohms - 10 V, 10 V 1 V - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V 12 204Na stanie magazynowym
48 000Oczekiwane: 21.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 8 000

Si SMD/SMT SOT-723-3 P-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 1.1 Ohms - 10 V, 10 V 1 V - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small-signal MOSFET ID=-0.1A VDSS=-20V 12 015Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 10 000

Si SMD/SMT SOT-883-3 P-Channel 1 Channel 20 V 100 mA 4.3 Ohms - 10 V, 10 V 1 V - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS 17 228Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 10 000

Si SMD/SMT CST3-3 N-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 2.3 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V 1 858Na stanie magazynowym
6 000Oczekiwane: 09.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 60 V 6 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 9.3 nC - 55 C + 175 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V 35 795Na stanie magazynowym
39 000Oczekiwane: 31.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SSM-3 N-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 1.1 Ohms - 10 V, 10 V 1 V 340 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V 37 326Na stanie magazynowym
72 000Oczekiwane: 28.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 8 000

Si SMD/SMT VESM-3 N-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 1.1 Ohms - 10 V, 10 V 1 V 340 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V 1 251Na stanie magazynowym
6 000Oczekiwane: 16.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 51 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 3.2 nC - 55 C + 175 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel