Rodzaje elementów dyskretnych półprzewodnikowych

Zmień widok kategorii
Wyniki: 33
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Rodzaj produktu Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa

onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V 641Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 20

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3

onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3 1 036Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 20

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V 3 296Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SiC MOSFETS SiC SMD/SMT D2PAK-7

onsemi SiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L 406Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 20

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2

onsemi SiC Schottky Diodes 650V 6A SIC SBD GEN1.5 2 041Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 80
: 2 500

SiC Schottky Diodes SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
onsemi SiC Schottky Diodes SIC SBD GEN1.5 650V 8A PQFM88 2 970Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT PQFN-4
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS 20MOHM 900V 1 859Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT D2PAK-7

onsemi SiC Schottky Diodes 1200V SiC SBD 30A 511Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-3
onsemi SiC Schottky Diodes 650V 10A SIC GEN1.5 456Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SiC Schottky Diodes SMD/SMT D2PAK-2
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TOLL 650V 1 364Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PSOF-8

onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V 202Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4

onsemi SiC MOSFETs SIC 1700V MOS 28MO IN TO247-4L 764Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 60

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
onsemi IGBTs 1200V/75A FS7 IGBT TP247 613Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
onsemi MOSFET Modules 8M 1200V 40A M3S SIC TNPC MODULE 19Na stanie magazynowym
20Oczekiwane: 17.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFET Modules SiC Press Fit PIM-29
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM 1200V M3 1 075Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 800
: 800

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT D2PAK-7

onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 14MOHM 1200V 471Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 10

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS PQFN88 650V 5 818Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TDFN-4

onsemi IGBTs 1200V, 40A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT 269Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
onsemi IGBTs 1200V, 40A Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT Fast Switching 383Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 30

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

onsemi IGBTs 1200V, 60A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT Czas realizacji 18 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 30

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 22MOHM 1200V M3 110Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
onsemi SiC Schottky Diodes SIC TO263 SBD 20A 1 200V 1 130Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SiC Schottky Diodes SMD/SMT D2PAK-3

onsemi IGBTs FS4 T TO247 50A 650V 4L 678Na stanie magazynowym
450Oczekiwane: 06.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4
onsemi SiC Schottky Diodes 650V 6A SIC SBD GEN1.5 708Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SiC Schottky Diodes SMD/SMT D2PAK-2

onsemi SiC Schottky Diodes 1200V 10A SIC SBD 309Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2