GS88018CGT Seria SRAM

Wyniki: 16
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Wielkość pamięci
Organizacja
Czas dostępu
Maksymalna częstotliwość zegara
Rodzaj interfejsu
Napięcie zasilania – max.
Napięcie zasilania – min.
Prąd zasilania – max.
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Opakowanie
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Karta charakterystyki
93Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

9 Mbit 512 k x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 150 mA, 175 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1

9 Mbit 512 k x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 120 mA, 130 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1

9 Mbit 512 k x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 140 mA, 150 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 18 9M
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 66
Wielokr.: 66

9 Mbit 512 k x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 125 mA, 135 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 18 9M
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 66
Wielokr.: 66

9 Mbit 512 k x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 105 mA, 115 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1

9 Mbit 512 k x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 130 mA, 155 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 18 9M
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 66
Wielokr.: 66

9 Mbit 512 k x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 125 mA, 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 18 9M
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 66
Wielokr.: 66

9 Mbit 512 k x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 115 mA, 140 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1

9 Mbit 512 k x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 145 mA, 180 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 72
Wielokr.: 72

9 Mbit 512 k x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 165 mA, 200 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 18 9M
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 66
Wielokr.: 66

9 Mbit 512 k x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 145 mA, 185 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 18 9M
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 66
Wielokr.: 66

9 Mbit 512 k x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 125 mA, 165 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1

9 Mbit 512 k x 18 5 ns 300 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 150 mA, 205 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1

9 Mbit 512 k x 18 5 ns 300 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 170 mA, 225 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 36
Wielokr.: 36

9 Mbit 512 k x 18 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 165 mA, 220 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 36
Wielokr.: 36

9 Mbit 512 k x 18 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 185 mA, 240 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray