Moduły MOSFET SIC

Moduły MOSFET SIC
SiC MOSFETs are available at Mouser Electronics from industry leading manufacturers. Mouser is an authorized distributor for many SiC MOSFET manufacturers including Infineon, Microchip, Navitas Semiconductor, onsemi, ROHM Semiconductor, STMicroelectronics, Wolfspeed & more. Please view our large selection of SiC MOSFETs below.
Wyniki: 1 274
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Kwalifikacje
Nazwa handlowa
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology
Karta charakterystyki
187Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole PG-TO247-4-U07 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 201 A 20 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 176 nC - 55 C + 175 C 711 W CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
Karta charakterystyki
140Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 42 A 50 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 156 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
Karta charakterystyki
66Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 45 A 50 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
Karta charakterystyki
133Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 64 A 31 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC
IXYS SiC MOSFETs 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
Karta charakterystyki
100Na stanie magazynowym
450Oczekiwane: 02.06.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 52 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
140Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 36 A 65 mhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
APC-E SiC MOSFETs 650V 50mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Karta charakterystyki
288Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 45 nC - 55 C + 175 C 198 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
Karta charakterystyki
70Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 36 A 65 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
APC-E SiC MOSFETs 1200V 75mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Karta charakterystyki
300Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27 A 98 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 40 nC - 55 C + 175 C 151 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
Karta charakterystyki
28Na stanie magazynowym
750Oczekiwane: 26.03.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 750

SMD/SMT HD-SOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 53 A 65.6 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
Karta charakterystyki
118Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 50 A 41.3 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
Karta charakterystyki
140Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 29 A 78 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 116 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
140Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 45 A 50 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
IXYS SiC MOSFETs 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L
Karta charakterystyki
78Na stanie magazynowym
800Oczekiwane: 02.06.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement
APC-E SiC MOSFETs 1200V 75mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Karta charakterystyki
300Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27 A 98 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 40 nC - 55 C + 175 C 151 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
Karta charakterystyki
138Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 23.02.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 34 A 65 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 135 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
119Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 53 A 41.3 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement CoolSiC
APC-E SiC MOSFETs 650V 50mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Karta charakterystyki
300Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 45 nC - 55 C + 175 C 198 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
1 165Na stanie magazynowym
1 500Dostępna ilość z otwartych zamówień
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 154 A 13.1 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 113 nC - 55 C + 175 C 651 W Enhancement
Central Semiconductor SiC MOSFETs 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC
Karta charakterystyki
30Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 26 A 40 mOhms 20 V 2.4 V - 55 C + 175 C 28 W Depletion
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 21mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
Karta charakterystyki
243Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 248 A 35 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 169 nC - 40 C + 175 C 500 W Enhancement
STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A
Karta charakterystyki
252Na stanie magazynowym
600Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 600


onsemi SiC MOSFETs SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM
Karta charakterystyki
2 252Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 900 V 118 A 28 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 196 nC - 55 C + 175 C 484 W Enhancement EliteSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SIC_DISCRETE
Karta charakterystyki
799Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 60 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 31 nC - 55 C + 175 C 150 mW Enhancement CoolSiC
onsemi SiC MOSFETs 750V/9MOSICFETG4TO263-7
Karta charakterystyki
688Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 106 A 9 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement SiC FET