Tube Układy MOSFET

Wyniki: 4 965
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Kwalifikacje
Nazwa handlowa
Opakowanie
Vishay / Siliconix MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
Karta charakterystyki
950Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 650V 72A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
2 003Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 153 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 38 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 650V 72A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
1 969Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 153 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 38 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement Tube

Microchip Technology MOSFETs MOSFET MOS7 1000 V 78 Ohm TO-247
Karta charakterystyki
105Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 14 A 780 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 95 nC - 55 C + 150 C 403 W Enhancement Tube

Microchip Technology MOSFETs MOSFET MOS5 800 V 56 Ohm TO-247
Karta charakterystyki
142Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 16 A 560 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 75 nC - 55 C + 150 C 370 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A
Karta charakterystyki
3 422Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2.5 A 4.5 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 19 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 500V 0.162 Ohm 17A MDmesh II PWR
Karta charakterystyki
878Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 17 A 190 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 45 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH
Karta charakterystyki
1 259Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 10.5 A 750 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 190 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5 A MDmesh K5
Karta charakterystyki
718Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 19.5 A 260 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V 0 120 Ohm typ 24 A
Karta charakterystyki
990Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 23 A 150 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 62.5 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
Karta charakterystyki
976Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 85 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 44.3 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 900 Volt 8.0 A Zener SuperMESH
Karta charakterystyki
1 896Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 8 A 1.3 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 72 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 1050 V, 6 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package
Karta charakterystyki
5 873Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 1.05 kV 1.5 A 8 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 10 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag
Karta charakterystyki
1 460Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 260 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 20 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ., 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 packag
Karta charakterystyki
692Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 38 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 100 nC - 55 C + 150 C 450 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
Karta charakterystyki
500Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 42 A 63 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-CH 600V 0.031Ohm typ. 68A MDmesh M2
Karta charakterystyki
633Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 68 A 30 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 118 nC - 55 C + 150 C 450 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 950V 7.2 Amp
Karta charakterystyki
574Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 7.2 A 1.35 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement SuperMESH Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 950V .275Ohm 17.5A Zener-protect
Karta charakterystyki
685Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 17.5 A 330 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead
Karta charakterystyki
492Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 72 A 36 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 106 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 500V 0.018 Ohm 110A Mdmesh II FET
Karta charakterystyki
186Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole Max247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 88 A 22 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 326 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement MDmesh Tube
onsemi MOSFETs 47A, 600V SuperFET
Karta charakterystyki
424Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 47 A 73 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 270 nC - 55 C + 150 C 417 W Enhancement SuperFET FRFET Tube

onsemi MOSFETs 600V N-Channel MOSFET
Karta charakterystyki
443Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 58 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 270 nC - 55 C + 150 C 417 W Enhancement Tube

onsemi MOSFETs SuperFET2 650V, 110mohm
Karta charakterystyki
780Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 98 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement SuperFET II FRFET Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 700V 46A TO247-4
Karta charakterystyki
626Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 93 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube