Tube Układy MOSFET

Wyniki: 4 965
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Kwalifikacje Nazwa handlowa Opakowanie
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET 411Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 84 A 28 mOhms 30 V 4.2 V 164 nC - 55 C + 150 C 481 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads 299Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 50

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 30 V 62 A 35 mOhms - 30 V, 30 V 4.2 V 112 nC - 55 C + 150 C 321 mW Enhancement Tube
iDEAL Semiconductor MOSFETs SuperQ power MOSFET 200 V, 25m? max, normal threshold level in TO-220 package 2 102Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 40 A 25 mOhms 20 V 4.1 V 26.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SuperQ Tube

Vishay / Siliconix MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC 1 901Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 600 V 80 A 26 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 295 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Tube
onsemi MOSFETs 500V 20A NCH MOSFET 7 438Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 59.5 nC - 55 C + 150 C 38.5 W Enhancement Tube
onsemi MOSFETs 1000V N-Channe MOSFET 10 888Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 8 A 1.45 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 225 W Enhancement QFET Tube
IXYS MOSFETs DiscMosfet NCh Std-VeryHiVolt TO-247AD 273Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 4.5 kV 1.4 A 40 Ohms - 20 V, 20 V 6 V 88 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement Tube

onsemi MOSFETs SF3 650V 50MOHM 1 908Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 50 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 125 nC - 55 C + 150 C 378 W Enhancement SuperFET III Tube
onsemi MOSFETs 250V N-Ch MOSFET 16 463Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 250 V 59 A 49 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 82 nC - 55 C + 150 C 392 W Enhancement Tube

onsemi MOSFETs Single N-Ch 500V .12Ohm SMPS 6 774Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 44 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 108 nC - 55 C + 175 C 750 W Enhancement Tube
onsemi MOSFETs UNIFET2 600V N-CH MOSFET SINGLE GAGE 13 277Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 530 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 34 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement UniFET Tube
IXYS MOSFETs 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET 726Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 120 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 108 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement Tube

onsemi MOSFETs SprFET2 650V 190mohm FRFET TO247 longlea 6 021Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20.6 A 168 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 60 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement SuperFET II Tube
IXYS MOSFETs 230A 200V 931Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 230 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 358 nC - 55 C + 175 C 1.67 kW Enhancement HiPerFET Tube


IXYS MOSFETs ISOPLUS 4.7KV 2A N-CH HIVOLT 366Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole ISOPLUS-i5-PAK-3 N-Channel 1 Channel 4.7 kV 2 A 20 Ohms - 20 V, 20 V 3.5 V 180 nC - 55 C + 150 C 220 W Enhancement ISOPLUS i5-PAC Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs 200V Vds 20V Vgs TO-220AB 37 706Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 90 A 12.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 87 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs P-Chan 400V 1.8 Amp 22 272Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-251-3 P-Channel 1 Channel 400 V 1.8 A 7 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 13 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Tube
Panjit MOSFETs 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET 2 862Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 19 mA 210 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 34 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET 931Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 56 A 43 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 78.6 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Tube
Panjit MOSFETs 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET 1 710Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole ITO-220AB-F-3 N-Channel 1 Channel 650 V 19 A 210 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 19 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement Tube
Panjit MOSFETs 600V 190mohm 20.6A Easy to driver SJ MOSFET 1 441Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Tube
Panjit MOSFETs 100V 5mohm Low FOM MOSFET 1 707Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220AB-L-3 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 40.5 nC - 55 C + 150 C 138 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 30A 3rd Gen, Fast Switch 1 690Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 56 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube

onsemi MOSFETs SuperFET2 800V 1 485Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 58 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 350 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET 4 424Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 38 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube