Heat Pumps

Littelfuse provides a broad portfolio of components for heat pumps, including fuses, TVS diodes, gate drivers, and more. The heat pump market is growing quickly, driven by government initiatives to reduce greenhouse gas emissions and rising energy costs. With inverter-driven motors improving system efficiencies, heat pumps can now be used in a wide range of climates. Learn how Littelfuse technologies make heat pumps safer, more reliable, and more energy efficient. Heat pumps can be used in a wide range of climates due to the inverter-driven motors improving system efficiencies. These components are suitable for various applications such as energy management, security systems, HVAC systems, smoke detectors, and IoT-controlled appliances. Littelfuse offers protect, control, and sense technologies to improve buildings' reliability, safety, and energy efficiency.

Wyniki: 149
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie
IXYS MOSFETs 250V UltraJunc X3 Pwr MOSFET
Karta charakterystyki
855Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 250 V 240 A 4.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 345 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 200V 72A N-CH X3CLASS
Karta charakterystyki
3 528Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 72 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO263 300V 26A N-CH X3CLASS
Karta charakterystyki
2 204Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 300 V 26 A 66 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO247 650V 24A N-CH X2CLASS
Karta charakterystyki
586Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 3 V - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs MOSFET 650V/46A Ultra Junction X2
Karta charakterystyki
403Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 76 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 75 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO247 300V 72A N-CH X3CLASS
Karta charakterystyki
235Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 72 A 19 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 82 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs PLUS247 300V 210A N-CH X3CLASS
Karta charakterystyki
298Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 300 V 210 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 375 nC - 55 C + 150 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO252 300V 26A N-CH X3CLASS
Karta charakterystyki
1 953Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 300 V 26 A 66 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO247 650V 62A N-CH X2CLASS
Karta charakterystyki
204Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 62 A 50 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 100 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO264 650V 102A N-CH X2CLASS
Karta charakterystyki
240Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 650 V 102 A 30 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 152 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs PLUS247 650V 120A N-CH X2CLASS
Karta charakterystyki
213Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 120 A 23 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 230 nC - 55 C + 150 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
Karta charakterystyki
674Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 250 V 80 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 83 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 300V 72A N-CH X3CLASS
Karta charakterystyki
974Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 300 V 72 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 82 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO263 250V 30A N-CH HIPER
Karta charakterystyki
547Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 250 V 30 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO252 250V 30A N-CH X3CLASS
Karta charakterystyki
661Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 250 V 30 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO247 650V 80A N-CH X2CLASS
Karta charakterystyki
239Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 80 A 38 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 137 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2
Karta charakterystyki
660Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 56 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 300V 56A N-CH X3CLASS
Karta charakterystyki
519Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 300 V 56 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO247 250V 120A N-CH X3CLASS
Karta charakterystyki
1 005Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 120 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 122 nC - 55 C + 150 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs MOSFET 650V/80A Ultra Junction X2
Karta charakterystyki
749Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 80 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 143 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
Karta charakterystyki
410Na stanie magazynowym
100Oczekiwane: 06.05.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 250 V 80 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 83 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs MOSFET 650V/60A Ultra Junction X2
Karta charakterystyki
889Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 107 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO252 200V 36A N-CH X3CLASS
Karta charakterystyki
1 778Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 200 V 36 A 38 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
Karta charakterystyki
384Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 80 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 83 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2
Karta charakterystyki
729Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube