Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

TK100A10N1,S4X

Name: Toshiba TK100A10N1,S4X
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK100A10N1S4X
Price: 20.73 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

757-TK100A10N1S4X

Nr prod.:

TK100A10N1,S4X

Produc.:

Toshiba

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Stany magazynowe:: 141 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 20 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Toshiba
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-220-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	100 V
Id – Ciągły prąd drenu:	100 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	3.1 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4 V
Qg – ładunek bramki:	140 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	45 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	U-MOSVIII-H
Opakowanie:	Tube
Marka:	Toshiba
Konfiguracja:	Single
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Seria:	TK100A10N1
Wielkość opakowania producenta:	50
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Jednostka masy:	2 g