IXFH22N60 Seria Układy MOSFET

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie

IXYS MOSFETs 600V 22A
Karta charakterystyki
239Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 350 mOhms - 30 V, 30 V 5.5 V 58 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET
Karta charakterystyki
12Na stanie magazynowym
4 140Oczekiwane: 21.12.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 38 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube