CSD23381F4 Seria Układy MOSFET

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie
Texas Instruments MOSFETs 12V P-CH FemtoFET MO SFET A 595-CSD23381 A 595-CSD23381F4T
Karta charakterystyki
8 475Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 12 V 2.3 A 175 mOhms - 8 V, 8 V 700 mV 1.14 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFETs 12V P-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD23381 A 595-CSD23381F4
Karta charakterystyki
1 202Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 250

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 12 V 2.3 A 970 mOhms - 8 V, 8 V 950 mV 1.14 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel