AEC-Q200 Tranzystory

Rodzaje tranzystorów

Zmień widok kategorii
Wyniki: 148
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Rodzaj produktu Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora
Toshiba Digital Transistors AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723) 41 880Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 8 000

Digital Transistors SMD/SMT VESM-3 NPN
Toshiba Digital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN x 2 Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563) 35 170Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 4 000

Digital Transistors SMD/SMT ES-6 NPN
Toshiba Digital Transistors AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416) 5 998Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Digital Transistors SMD/SMT SSM-3 PNP
Toshiba Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:350-700 SOT-323 (USM) 5 456Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT USM-3 NPN
Toshiba Digital Transistors AUTO AEC-Q TR PNP BRT Q1BSR=10kOhm VCEO=-50V IC=-0.1A in SOT-346 (SOT-346) 6 000Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Digital Transistors SMD/SMT S-Mini-3 PNP
Toshiba Digital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346) 2 531Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Digital Transistors SMD/SMT S-Mini-3 NPN
Toshiba Digital Transistors AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346) 5 980Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Digital Transistors SMD/SMT S-Mini-3 PNP
Toshiba Digital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346) 5 560Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Digital Transistors SMD/SMT S-Mini-3 NPN
Toshiba Digital Transistors AUTO AEC-Q TR NPN Q1BSR=47kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346) 5 985Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Digital Transistors SMD/SMT SC-59-3 NPN
Toshiba Digital Transistors AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416) 5 900Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Digital Transistors SMD/SMT SSM-3 PNP
Toshiba Digital Transistors AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346) 2 730Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Digital Transistors SMD/SMT S-Mini-3 PNP
Toshiba Digital Transistors AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346) 5 985Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Digital Transistors SMD/SMT S-Mini-3 PNP
Toshiba Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-400 SOT-363 (US6) 5 644Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6 NPN
Toshiba Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6) 7 700Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 4 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT ES-6 PNP
Toshiba Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6) 7 772Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 4 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT ES-6 NPN, PNP
Toshiba Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-363 (US6) 5 762Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6 NPN
Toshiba Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini) 8 330Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT S-Mini-3 NPN
Toshiba Digital Transistors AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723) 2 045Na stanie magazynowym
8 000Oczekiwane: 16.03.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 8 000

Digital Transistors SMD/SMT VESM-3 NPN
Toshiba Digital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723) 6 045Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 8 000

Digital Transistors SMD/SMT VESM-3 NPN
Toshiba Digital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346) 6 000Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Digital Transistors SMD/SMT S-Mini-3 NPN
Toshiba Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini) 11 236Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT S-Mini-3 PNP
Toshiba Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:70-140 SOT-346 (S-Mini) 5 779Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT S-Mini-3 PNP
Toshiba Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini) 8 229Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT S-Mini-3 PNP
Toshiba Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-323 (USM) 7 177Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT USM-3 PNP
Toshiba Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-323 (USM) 487Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT USM-3 PNP