Gen2 Układy MOSFET

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie
IXYS MOSFETs 130 Amps 65V
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 65 V 130 A 6.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 79 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 160 Amps 40V
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 79 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement HiPerFET Tube