IFND89 N-Channel JFET

InterFET IFND89 N-Channel JFET offers low noise and high gain with integrated back-to-back diodes on the gate. It is packaged in either an SC70-5 or TO-72 package and is well suited to applications requiring high gain, low noise, and low pinch-off voltage (less than 0.9 volts). It provides over-voltage protection by clipping transient spikes, and the low current/low voltage capability makes the IFND89 ideal for battery operation.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Konfiguracja
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Vgs – Napięcie przebicia bramka–źródło
Napięcie odcięcia bramka–źródło
Prąd dren–źródło przy Vgs=0
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Pd – strata mocy
Seria
Opakowanie
InterFET JFETs JFET N-Channel -15V Low Ciss
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 750
Wielokr.: 50

Si Through Hole TO-72-4 N-Channel Single 3.3 V - 15 V - 900 mV 1 mA 1 uA 3 kOhms 250 mW IFND89 Bulk
InterFET IFD89SC5
InterFET JFETs JFET N-Channel -15V Low Ciss
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 4 250
Wielokr.: 50

IFND89 Bulk