Wyniki: 5
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Opakowanie

Diodes Incorporated MOSFETs 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET 11 746Na stanie magazynowym
84 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 3 360
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 4.9 A 45 mOhms - 12 V, 12 V 600 mV - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated MOSFETs 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET 50 175Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 4 A 60 mOhms - 12 V, 12 V 500 mV 2.8 nC - 55 C + 150 C 950 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated MOSFETs 30V N-Channel Enhance. Mode MOSFET 381Na stanie magazynowym
12 000Oczekiwane: 21.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 4.6 A 47 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 7.7 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated MOSFETs 30V Dual N-channel Enhance. Mode MOSFET 797Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 30 V 7.3 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 12.9 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated MOSFETs 30V Dual N-Channel Enhance. Mode MOSFET 994Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 30 V 7.1 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 10.5 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel