NVMFD5873NL Dual N-Channel Power MOSFETs

onsemi NVMFD5873NL Dual N-Channel Power MOSFETs are designed for compact and efficient designs, including high thermal performance. These MOSFETs feature low resistance (RDS(on)) to minimize conduction losses and low capacitance to minimize driver losses. The NVMFD5873NL power MOSFETs offer a wettable flanks option for enhanced optical inspection. These MOSFETs are AEC−Q101 qualified and PPAP capable. The NVMFD5873NL power MOSFETs are ideal for motor control and a high-side/low-side switch.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Kwalifikacje Opakowanie
onsemi MOSFETs NFET DFN8 60V 58A 13MOHM
1 500Oczekiwane: 01.05.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 500

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 2 Channel 60 V 58 A 13 mOhms 20 V 2.5 V 30.5 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs Pwr MOSFET 60V 58A 13mOhm Dual N-CH Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 60 V 58 A 13 mOhms AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel