Wyniki: 26
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Kwalifikacje
Opakowanie
Panjit MOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
2 725Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 150 V 40 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 36 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
4 433Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 150 V 18 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 22 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
2 579Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 150 V 42 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 36 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
2 824Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 150 V 25 A 49 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 22 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
1 830Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 150 V 26 A 49 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 22 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
2 530Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 60 V 38 A 13.5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 16 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
2 900Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 13.5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 16 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 60 V 168 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 82 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 100 V 40 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 150 V 65 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 53 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 60 V 66 A 7.9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 27 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 100 V 59 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 35 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 100 V 88 A 7.4 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 62 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 60 V 94 A 5.9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 40 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 5 000
Wielokr.: 5 000
: 5 000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 60 V 54 A 8.4 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 27 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 60 V 36 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 16 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 5 000
Wielokr.: 5 000
: 5 000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 100 V 52 A 11.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 35 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 100 V 35 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 190 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 82 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 89 A 5.9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 40 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 59 A 7.9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 27 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 7.4 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 62 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 56 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 35 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 40 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 175 C 54 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 150 V 59 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 53 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 Reel