Wyniki: 4
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
IXYS SiC MOSFETs 1200V 18mOhm (30A at 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-4L
Karta charakterystyki
290Na stanie magazynowym
100Oczekiwane: 11.05.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole ISO247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 46 A 47 mOhms 21 V 4.8 V 79 nC - 40 C + 150 C 143.7 W Enhancement
IXYS SiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
Karta charakterystyki
795Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 41 A 104 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
IXYS SiC MOSFETs 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
Karta charakterystyki
760Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 79 A 39 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 135 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement
IXYS SiC MOSFETs 1200V 36mOhm (43A at 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-4L
Karta charakterystyki
400Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole ISO247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 85 A 23.4 mOhms 21 V 4.8 V 155 nC - 40 C + 150 C 223.2 W Enhancement