Wyniki: 11
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Karta charakterystyki
164Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 92 A 53.8 mOhms - 10 V, + 23 V 4.2 V 78 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Karta charakterystyki
208Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 74 A 67.6 Ohms - 10 V, + 25 V 5.1 V 62 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Karta charakterystyki
136Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 65 A 35 mOhms - 10 V, + 25 V 4.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Karta charakterystyki
162Na stanie magazynowym
480Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 52 A 38 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 41 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SIC DISCRETE
Karta charakterystyki
203Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package
Karta charakterystyki
335Na stanie magazynowym
240Oczekiwane: 26.05.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SIC DISCRETE
Karta charakterystyki
224Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package
Karta charakterystyki
189Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SIC DISCRETE
Karta charakterystyki
230Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SIC DISCRETE
Karta charakterystyki
240Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET
Karta charakterystyki
240Oczekiwane: 10.12.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 240

Through Hole PG-TO247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 147 A 31.3 Ohms - 10 V to 25 V 4.2 V 130 nC - 55 C + 175 C 568 W Enhancement CoolSiC