Wyniki: 4
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Seria
Opakowanie
IXYS MOSFET Modules 500V 112A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET
Karta charakterystyki
453Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 500 V 112 A 39 mOhms - 30 V, + 30 V 5 V - 55 C + 150 C 1.5 kW IXFN132N50 Tube
IXYS MOSFET Modules N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
Karta charakterystyki
120Na stanie magazynowym
300Oczekiwane: 25.05.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 300 V 192 A 14.5 mOhms - 20 V, + 20 V - 55 C + 150 C 1.5 kW IXFN210N30 Tube
IXYS MOSFET Modules 600V 90A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET
Karta charakterystyki
550Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 600 V 90 A 56 mOhms - 30 V, + 30 V 3 V - 55 C + 150 C 1.5 mW IXFN110N60 Tube
IXYS MOSFET Modules Polar3 HiPerFET Power MOSFET
Karta charakterystyki
Czas realizacji 26 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 600 V 66 A 70 mOhms - 30 V, + 30 V - 55 C + 150 C 960 W IXFN80N60 Tube