SiC MOSFETs

Littelfuse SiC MOSFETs are optimized for high-frequency, high-efficiency applications. These robust SiC MOSFETs offer low gate charges, low output capacitance, and low gate resistance for high-frequency switching. These devices also feature extremely low drain-source on-state resistance. The low gate charge and on-resistance of these MOSFETs translate into lower conduction and switching losses, respectively. Littelfuse offers in-house designed, developed, and manufactured SiC MOSFETs with extremely low gate charge and output capacitance, industry-leading performance, and ruggedness at all temperatures. Littelfuse SiC MOSFETs are available in a range of varieties, including 1200V in 80mΩ, 120mΩ, and 160mΩ versions.

Wyniki: 4
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania Opakowanie/obudowa Konfiguracja If – prąd przewodzenia diody Vrrm – powtarzajace się napięcie wsteczne Vf – Napięcie przewodzenia Ifsm – prąd udarowy przewodzenia Ir – Prąd wsteczny Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Seria Kwalifikacje Opakowanie
Littelfuse SiC Schottky Diodes RECT 650V 20A SM SCHOTTKY 713Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 800

SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2) Single 20 A 650 V 1.8 V 95 A 100 uA - 55 C + 175 C LSIC2SD AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Littelfuse SiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 40A SM SCHOTTKY 74Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Screw Mount SOT-227B Dual Series 40 A 1.2 kV 1.8 V 145 A 100 uA - 55 C + 175 C LSIC2SD Tube

Littelfuse SiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 120A SM SCHOTTKY
99Oczekiwane: 25.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Screw Mount SOT-227B Dual Series 120 A 1.2 kV 1.8 V 440 A 100 uA - 55 C + 175 C LSIC2SD Tube
Littelfuse SiC Schottky Diodes 650V/8A SiC SBD?TO263-2LAEC-Q101 Niedostępne na stanie
Min.: 800
Wielokr.: 800

SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2) Single 8 A 650 V 1.8 V 40 A 100 uA - 55 C + 175 C LSIC2SD AEC-Q101