Power Silicon Carbide Schottky Diodes

Vishay Semiconductors Power Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes are advanced, high‑performance rectifiers designed to deliver exceptional efficiency, ruggedness, and reliability in demanding power‑electronics applications. Built on wide-band-gap SiC technology, these Vishay diodes offer virtually zero reverse‑recovery charge, extremely fast switching capability, and temperature‑invariant performance, making the devices ideal for next‑generation high‑frequency power conversion systems.

Wyniki: 45
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Konfiguracja
If – prąd przewodzenia diody
Vrrm – powtarzajace się napięcie wsteczne
Vf – Napięcie przewodzenia
Ifsm – prąd udarowy przewodzenia
Ir – Prąd wsteczny
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Vishay Semiconductors VS-4C10EP12LHM3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2472L
Karta charakterystyki
500Oczekiwane: 14.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 10 A 1.2 kV 1.34 V 50 A 162 uA - 55 C + 175 C VS-4C10EP12LHM3
Vishay Semiconductors VS-4C12ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SiCG4D2PAK2L
Karta charakterystyki
800Oczekiwane: 14.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 72 A 84 uA -55 C + 175 C VS-4C12ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors VS-4C12ET07THM3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2202L
Karta charakterystyki
1 000Oczekiwane: 14.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 72 A 84 uA -55 C + 175 C VS-4C12ET07THM3
Vishay Semiconductors VS-4C15EP12L-M3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2472L
Karta charakterystyki
500Oczekiwane: 14.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C VS-4C15EP12L-M3
Vishay Semiconductors VS-4C15EP12LHM3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2472L
Karta charakterystyki
500Oczekiwane: 14.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C VS-4C15EP12LHM3
Vishay Semiconductors VS-4C15ET12S2L-M3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SiCG4D2PAK2L
Karta charakterystyki
800Oczekiwane: 14.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C VS-4C15ET12S2L-M3
Vishay Semiconductors VS-4C15ET12S2LHM3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SiCG4D2PAK2L
Karta charakterystyki
800Oczekiwane: 14.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C VS-4C15ET12S2LHM3
Vishay Semiconductors VS-4C15ET12T-M3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2202L
Karta charakterystyki
1 000Oczekiwane: 14.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C VS-4C15ET12T-M3
Vishay Semiconductors VS-4C15ET12THM3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2202L
Karta charakterystyki
1 000Oczekiwane: 14.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C VS-4C15ET12THM3
Vishay Semiconductors VS-4C16ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SiCG4D2PAK2L
Karta charakterystyki
800Oczekiwane: 14.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C16ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors VS-4C16ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SiCG4D2PAK2L
Karta charakterystyki
800Oczekiwane: 14.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C16ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors VS-4C16ET07T-M3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2202L
Karta charakterystyki
1 000Oczekiwane: 14.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C16ET07T-M3
Vishay Semiconductors VS-4C16ET07THM3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2202L
Karta charakterystyki
1 000Oczekiwane: 14.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C16ET07THM3
Vishay Semiconductors VS-4C20CP07LHM3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2473L
Karta charakterystyki
500Oczekiwane: 16.03.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 10 A 650 V 1.3 V 60 A 50 uA - 55 C + 175 C VS-4C20CP07LHM3
Vishay Semiconductors VS-4C20ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SiCG4D2PAK2L
Karta charakterystyki
800Oczekiwane: 16.03.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C VS-4C20ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors VS-4C20ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SiCG4D2PAK2L
Karta charakterystyki
800Oczekiwane: 16.03.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C VS-4C20ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors VS-4C20ET07T-M3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2202L
Karta charakterystyki
1 000Oczekiwane: 16.03.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C VS-4C20ET07T-M3
Vishay Semiconductors VS-4C20ET07THM3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2202L
Karta charakterystyki
1 000Oczekiwane: 16.03.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C VS-4C20ET07THM3
Vishay Semiconductors VS-4C30CP07L-M3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2473L
Karta charakterystyki
500Oczekiwane: 14.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C30CP07L-M3
Vishay Semiconductors VS-4C30CP07LHM3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2473L
Karta charakterystyki
490Oczekiwane: 14.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C30CP07LHM3
Vishay Semiconductors VS-4C30E3P07L-M3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2473L
Karta charakterystyki
500Oczekiwane: 16.03.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247AD-3 Single 30 A 650 V 1,33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C VS-4C30E3P07L-M3
Vishay Semiconductors VS-4C30EP12L-M3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2472L
Karta charakterystyki
465Oczekiwane: 14.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30EP12L-M3
Vishay Semiconductors VS-4C30EP12LHM3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2472L
Karta charakterystyki
500Oczekiwane: 14.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30EP12LHM3
Vishay Semiconductors VS-4C30ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SiCG4D2PAK2L
Karta charakterystyki
800Oczekiwane: 05.03.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 SIngle 30 A 650 V 1.33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors VS-4C30ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SiCG4D2PAK2L
Karta charakterystyki
800Oczekiwane: 16.03.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 SIngle 30 A 650 V 1.33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET07S2LHM3