QPD1009 Tranzystory GaN FET

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy
Qorvo GaN FETs DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN 244Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 50 V 700 mA - 2.8 V - 40 C + 85 C 17.5 W
Qorvo GaN FETs DC-4 GHz, 15W, 50V GaN RF Tr Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 500
Wielokr.: 500
Szpula: 500
SMD/SMT SMD-16 1 Channel 145 V 1.6 A - 40 C + 85 C 16 W