Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

QPD0060

Name: Qorvo QPD0060
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD0060
Price: 606.52 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

772-QPD0060

Nr prod.:

QPD0060

Produc.:

Qorvo

Opis:

GaN FETs DC-3.6GHz GaN 90W 48V

Karta charakterystyki:

QPD0060 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Qorvo QPD0060

Na stanie magazynowym: 54

Stany magazynowe:: 54 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 18 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	606,52 zł	606,52 zł
	424,54 zł	10 613,50 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 100)
	365,20 zł	36 520,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Qorvo
Kategoria produktów:	Tranzystory GaN FET
RoHS:
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	DFN-6
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	48 V
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Marka:	Qorvo
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	US
Zestaw projektowy:	QPD0060PCB4B01
Wzmocnienie:	16.2 dB
Maksymalna częstotliwość robocza:	3.8 GHz
Minimalna częstotliwość robocza:	1.8 GHz
Wrażliwość na wilgoć:	Yes
Moc wyjściowa:	90 W
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Rodzaj produktu:	GaN FETs
Seria:	QPD0060
Wielkość opakowania producenta:	100
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	GaN
Nazwy umowne nr części:	1131037 QPD0060SR

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

QPD0060 Karta charakterystyki (PDF)

PCN

Product Change Notification 2026-2-13 (PDF)

USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

GaN Transistor Solutions for Sub 6GHz 5G

Qorvo GaN Transistor Solutions for Sub-6GHz 5G are a broad portfolio of gallium nitride (GaN) discrete transistor products. The devices have varying levels of power, voltage, and frequency ratings in die-level and packaged solutions. Qorvo GaN Transistor Solutions for Sub-6GHz 5G provide high GaN performance plus the convenience of industry-standard packaging. This speeds design, manufacturing, and is backed by industry-leading reliability.