GaN Transistor Solutions for Sub 6GHz 5G

Qorvo GaN Transistor Solutions for Sub-6GHz 5G are a broad portfolio of gallium nitride (GaN) discrete transistor products. The devices have varying levels of power, voltage, and frequency ratings in die-level and packaged solutions. Qorvo GaN Transistor Solutions for Sub-6GHz 5G provide high GaN performance plus the convenience of industry-standard packaging. This speeds design, manufacturing, and is backed by industry-leading reliability.

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy
Qorvo GaN FETs DC-3.6GHz GaN 90W 48V 54Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 100

SMD/SMT DFN-6 48 V - 40 C
Qorvo GaN FETs DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN 244Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 50 V 700 mA - 2.8 V - 40 C + 85 C 17.5 W
Qorvo GaN FETs DC-4GHz 45W GaN 48V 66Na stanie magazynowym
500Oczekiwane: 04.06.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 250

SMD/SMT QFN-20 48 V - 40 C 45 W