Wyniki: 7
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
MACOM GaN FETs Transistor, DC-6.0GHz, 35W, G28V5
Karta charakterystyki
50Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT 440166 1 Channel 84 V 6 A - 10 V, + 2 V - 40 C + 85 C
MACOM GaN FETs Transistor, DC - 6 GHz, 8W, G28V5-1C
Karta charakterystyki
188Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

SMD/SMT PDFN-12 1 Channel 84 V 1.4 A - 10 V, + 2 V - 40 C + 85 C 8 W
MACOM GaN FETs Transistor,GaN,5W,DC-6GHz,2.16mm,Pill
Karta charakterystyki
80Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT 440109-2 1 Channel 84 V 750 mA - 10 V, + 2 V - 40 C + 85 C
MACOM GaN FETs Transistor, DC-8.0GHz, 25W, G28V5
Karta charakterystyki
50Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT 440166 1 Channel 84 V 4.6 A - 10 V, + 2 V - 40 C + 85 C
MACOM GaN FETs Transistor,GaN,10W,DC-6GHz,3.6mm,Flange
Karta charakterystyki
80Oczekiwane: 05.05.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT 84 V 4.6 A - 10 V,+ 2 V - 40 C + 85 C
MACOM GaN FETs Transistor, DC-4.0GHz, 50W, G28V5
Karta charakterystyki
30Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT 440223 1 Channel 84 V 6 A - 10 V, + 2 V - 40 C + 85 C
MACOM GaN FETs Transistor, DC-4GHz, 120W, G28V5
Karta charakterystyki
25Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT 440223 1 Channel 84 V 12 A - 10 V, + 2 V - 40 C + 65 C