HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors

STMicroelectronics HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) combine a very low saturation voltage (down to 1.6V) with a minimal collector current turn-off tail and a maximum operating temperature of 175°C. This enhances the efficiency of high-frequency applications (up to 100kHz) and leverages the advanced proprietary Trench Gate Field-Stop (TGFS) structure.

Rodzaje tranzystorów
Zmień widok kategorii
Wyniki: 28
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Rodzaj produktu
Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
Karta charakterystyki
531Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
Karta charakterystyki
2 321Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
Karta charakterystyki
564Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole
STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB series IGBT
Karta charakterystyki
461Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

IGBT Transistors Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT
Karta charakterystyki
293Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs 600V 60A trench gate field-stop IGBT
Karta charakterystyki
1 186Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A
Karta charakterystyki
4 435Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package
Karta charakterystyki
793Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

IGBT Transistors Si SMD/SMT

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed
Karta charakterystyki
688Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT
Karta charakterystyki
90Na stanie magazynowym
600Oczekiwane: 24.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs 600V 40A trench gate field-stop IGBT
Karta charakterystyki
1 138Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Karta charakterystyki
406Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Karta charakterystyki
492Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
Karta charakterystyki
1Na stanie magazynowym
600Oczekiwane: 01.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB series IGBT
Karta charakterystyki
464Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT
Karta charakterystyki
848Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P-3
STMicroelectronics IGBTs 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT
Karta charakterystyki
317Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics IGBTs Trench gate H series 650V 80A HiSpd
Karta charakterystyki
44Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
Karta charakterystyki
290Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3PF
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pa
Karta charakterystyki
42Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4
STMicroelectronics IGBTs 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGB
Karta charakterystyki
209Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics IGBTs 650V 40A Trench Gate Field-Stop IGBT
Karta charakterystyki
600Oczekiwane: 15.06.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs 650V 60A Trench Gate Field-Stop IGBT
Karta charakterystyki
Czas realizacji 14 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Karta charakterystyki
Czas realizacji 14 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3