Advanced Linear Devices Układy MOSFET

Wyniki: 109
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.70V
Karta charakterystyki
3 684Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.72 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Dual EPAD(R) N-Ch
Karta charakterystyki
45Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole PDIP-8 N-Channel 2 Channel 10 V 12 mA 500 Ohms, 500 Ohms - 12 V, 12 V 20 mV 0 C + 70 C 500 mW Depletion Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
Karta charakterystyki
40Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 20 mV 0 C + 70 C 500 mW Depletion Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad P-Channel EPAD Matched Pair
Karta charakterystyki
53Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 P-Channel 4 Channel 8 V 80 mA 1.14 kOhms - 8 V, 8 V 180 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad MOSFET ARRAY Vt=2.60V
Karta charakterystyki
18Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.62 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.20V
Karta charakterystyki
39Na stanie magazynowym
200Oczekiwane: 09.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 2.22 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY
Karta charakterystyki
22Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 20 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual MOSFET ARRAY Vt=2.50V
Karta charakterystyki
23Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.52 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
Karta charakterystyki
46Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 0 V 0 C + 70 C 500 mW Depletion Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Karta charakterystyki
37Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole PDIP-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 180 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Karta charakterystyki
29Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole PDIP-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 820 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad P-Channel EPAD Matched Pair
Karta charakterystyki
46Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 P-Channel 4 Channel 8 V 80 mA 1.1 kOhms - 8 V, 8 V 20 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad MOSFET ARRAY Vt=2.40V
Karta charakterystyki
154Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.42 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
Karta charakterystyki
16Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole PDIP-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 0 V 0 C + 70 C 500 mW Depletion Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.50V
Karta charakterystyki
1 548Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.52 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Dual P&N-Ch. Pair
Karta charakterystyki
4Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole PDIP-14 N-Channel, P-Channel 4 Channel 12 V 40 mA, 16 mA 50 Ohms, 180 Ohms - 12 V, 12 V 400 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Dual P&N-Ch. Pair
Karta charakterystyki
27Na stanie magazynowym
150Oczekiwane: 25.02.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole PDIP-14 N-Channel, P-Channel 4 Channel 12 V 4.8 mA, 2 mA 350 Ohms, 1.2 kOhms - 12 V, 12 V 400 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad N-Channel Array
Karta charakterystyki
161Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole PDIP-14 N-Channel 4 Channel 12 V 4.8 mA 350 Ohms - 12 V, 12 V 400 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad P-Channel Array
Karta charakterystyki
122Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole PDIP-14 P-Channel 4 Channel 12 V 2 mA 1.2 kOhms - 12 V, 12 V 400 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad EPAD(R) N-Ch
Karta charakterystyki
20Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole PDIP-16 N-Channel 4 Channel 10 V 12 mA 500 Ohms - 12 V, 12 V 0 V 0 C + 70 C 500 mW Depletion Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Dual EPAD(R) N-Ch
Karta charakterystyki
55Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole PDIP-8 N-Channel 2 Channel 10 V 12 mA 500 Ohms, 500 Ohms - 12 V, 12 V 0 V 0 C + 70 C 500 mW Depletion Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
Karta charakterystyki
36Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole PDIP-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 20 mV 0 C + 70 C 500 mW Depletion Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad MOSFET ARRAY Vt=2.50V
Karta charakterystyki
49Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.52 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Dual P&N-Ch. Pair
Karta charakterystyki
45Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT SOIC-14 N-Channel, P-Channel 4 Channel 12 V 40 mA, 16 mA 50 Ohms, 180 Ohms - 12 V, 12 V 400 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.20V
Karta charakterystyki
23Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.22 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube