Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

ALD210800ASCL

Name: Advanced Linear Devices ALD210800ASCL
Brand: Advanced Linear Devices
SKU: 585-ALD210800ASCL
Price: 49.06 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

585-ALD210800ASCL

Nr prod.:

ALD210800ASCL

Produc.:

Advanced Linear Devices

Opis:

MOSFETs PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY

Karta charakterystyki:

ALD210800ASCL Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 19

Stany magazynowe:: 19 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 9 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Ilości większe niż 19 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	49,06 zł	49,06 zł
	32,26 zł	322,60 zł
	24,78 zł	2 478,00 zł
	24,07 zł	12 035,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Advanced Linear Devices
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SOIC-16
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	4 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	10.6 V
Id – Ciągły prąd drenu:	80 mA
Rds On – rezystancja dren–źródło:	25 Ohms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 12 V, 12 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	20 mV
Minimalna temperatura robocza:	0 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 70 C
Pd – strata mocy:	500 mW
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Tube
Marka:	Advanced Linear Devices
Konfiguracja:	Quad
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	US
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Seria:	ALD210800A
Wielkość opakowania producenta:	50
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	4 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	10 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	10 ns
Jednostka masy:	666 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

ALD210800ASCL Karta charakterystyki (PDF)

TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Advanced Linear Devices ALD210800/ALD210800A Precision N-Channel EPAD® MOSFET Arrays - INACTIVE

Advanced Linear Devices ALD210800/ALD210800A Precision N-Channel EPAD® MOSFET Arrays are precision matched at the factory using ALD's proven EPAD® CMOS technology. These quad monolithic devices are enhanced additions to the ALD110800A/ALD110800 EPAD® MOSFET Family, with increased forward transconductance and output conductance, particularly at very low supply voltages. Intended for low voltage, low power small signal applications, the ALD210800/ALD210800A features Zero-Threshold™ voltage, which enables circuit designs with input/output signals referenced to GND at enhanced operating voltage ranges. With these devices, a circuit with multiple cascading stages can be built to operate at extremely low supply/bias voltage levels.
Learn More