Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

CG2H30070F

Name: MACOM CG2H30070F
Brand: MACOM
SKU: 941-CG2H30070F
Price: 1909.72 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

941-CG2H30070F

Nr prod.:

CG2H30070F

Produc.:

MACOM

Opis:

GaN FETs 70W, DC-4.0GHz, 28V, RF Power GaN HEMT

Karta charakterystyki:

CG2H30070F Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o MACOM CG2H30070F

Alert dotyczący wysyłki:

Produkt ten może wymagać dodatkowej dokumentacji przy eksporcie ze Stanów Zjednoczonych.

Na stanie magazynowym: 32

Stany magazynowe:: 32

Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 60

Oczekiwane: 04.03.2026
Średni czas produkcji:: 26

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	1 909,72 zł	1 909,72 zł
	1 669,95 zł	16 699,50 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	MACOM
Kategoria produktów:	Tranzystory GaN FET
Ograniczenia dotyczące wysyłki	Produkt ten może wymagać dodatkowej dokumentacji przy eksporcie ze Stanów Zjednoczonych.
RoHS:
Styl mocowania:	Screw Mount
Opakowanie/obudowa:	440224
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	120 V
Id – Ciągły prąd drenu:	12 A
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	- 3.8 V
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Marka:	MACOM
Zestaw projektowy:	CG2H30070F-TB1
Wzmocnienie:	12.4 dB
Maksymalna częstotliwość robocza:	4 GHz
Minimalna częstotliwość robocza:	0 Hz
Moc wyjściowa:	70 W
Opakowanie:	Tray
Rodzaj produktu:	GaN FETs
Wielkość opakowania producenta:	30
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	GaN
Rodzaj tranzystora:	GaN HEMT
Vgs – Napięcie przebicia bramka–źródło:	- 10 V, 2 V
Jednostka masy:	10,466 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

CG2H30070F Karta charakterystyki (PDF)

PCN

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541290100
MXHTS:: 85412999
ECCN:: 3A001.b.3.a.4

CG2H40xx & CG2H30xx GaN HEMTs

MACOM CG2H40xx and CG2H30xx Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to operate from a 28V rail. These transistors offer a general-purpose broadband solution to a variety of RF and microwave applications. The high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities make these HEMTs ideal for linear and compressed amplifier circuits. MACOM CG2H40xx and CG2H30xx transistors offer design flexibility with a wide variety of package types, including screw-down, solder-down, pill, and flange. Typical applications include broadband amplifiers, cellular infrastructure, and radar.