EPC8010

Name: EPC EPC8010
Brand: EPC
SKU: 65-EPC8010
Price: 11.4 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

65-EPC8010

Nr prod.:

EPC8010

Produc.:

EPC

Cykl życia:

Nowości w Mouser

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Stany magazynowe:: 4 988 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 18 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	11,40 zł	11,40 zł
	7,40 zł	74,00 zł
	5,16 zł	516,00 zł
	4,34 zł	2 170,00 zł
	4,14 zł	4 140,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
	3,66 zł	9 150,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	EPC
Kategoria produktów:	Tranzystory GaN FET
RoHS:
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	LGA-6
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	100 V
Id – Ciągły prąd drenu:	4 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	160 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	6 V, - 4 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.5 V
Qg – ładunek bramki:	360 pC
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	eGaN FET
Marka:	EPC
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	TW
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Produkt:	Power Transistor
Rodzaj produktu:	GaN FETs
Wielkość opakowania producenta:	2500
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	GaN
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Jednostka masy:	3,100 mg