STMicroelectronics Tranzystory MOSFET RF

Wyniki: 9
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Polaryzacja tranzystora Technologia Id – Ciągły prąd drenu Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Rds On – rezystancja dren–źródło Częstotliwość robocza Wzmocnienie Moc wyjściowa Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Styl mocowania Opakowanie/obudowa Opakowanie
STMicroelectronics RF MOSFET Transistors POWER RF Transistor 148Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

N-Channel Si 7 A 40 V 1 GHz 14.5 dB 25 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube
STMicroelectronics RF MOSFET Transistors POWER R.F. 472Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

N-Channel Si 2.5 A 40 V 1 GHz 17 dB 3 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube
STMicroelectronics RF MOSFET Transistors POWER RF Transistor 323Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

N-Channel Si 5 A 40 V 1 GHz 14 dB 15 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube
STMicroelectronics RF MOSFET Transistors POWER R.F. Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 23 tygodni
Min.: 600
Wielokr.: 600
Szpula: 600

N-Channel Si 5 A 40 V 1 GHz 14 dB 15 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Reel
STMicroelectronics RF MOSFET Transistors POWER R.F. Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 23 tygodni
Min.: 600
Wielokr.: 600
Szpula: 600

N-Channel Si 2.5 A 65 V 760 mOhms 1 GHz 16.5 dB 18 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Reel
STMicroelectronics RF MOSFET Transistors POWER R.F. Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 23 tygodni
Min.: 400
Wielokr.: 400

N-Channel Si 4 A 65 V 1 GHz 14 dB 30 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube
STMicroelectronics RF MOSFET Transistors RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 23 tygodni
Min.: 400
Wielokr.: 400

N-Channel Si 7 A 65 V 1 GHz 14.3 dB 60 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube
STMicroelectronics RF MOSFET Transistors POWER R.F. N-Ch Trans Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 23 tygodni
Min.: 400
Wielokr.: 400

N-Channel Si 8 A 40 V 1 GHz 14.9 dB 35 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube
STMicroelectronics RF MOSFET Transistors POWER R.F. N-Ch Trans Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 23 tygodni
Min.: 600
Wielokr.: 600
Szpula: 600

N-Channel Si 8 A 40 V 1 GHz 14.9 dB 35 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Reel