Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

PD57018STR-E

Name: STMicroelectronics PD57018STR-E
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-PD57018STR-E
Price: 77.62 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-PD57018STR-E

Nr prod.:

PD57018STR-E

Produc.:

STMicroelectronics

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 23 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.

Wpisz ilość:

Minimum: 600 Wielokrotności: 600

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 600)
	77,62 zł	46 572,00 zł

Produc. Nr części:

Opakowanie:

Tube

Dostępność:

Na stanie magazynowym

Cena:

100,41 zł

Min.:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Tranzystory MOSFET RF
RoHS:
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Technologia:	Si
Id – Ciągły prąd drenu:	2.5 A
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	65 V
Rds On – rezystancja dren–źródło:	760 mOhms
Częstotliwość robocza:	1 GHz
Wzmocnienie:	16.5 dB
Moc wyjściowa:	18 W
Minimalna temperatura robocza:	- 65 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	PowerSO-10RF-Straight-4
Opakowanie:	Reel
Marka:	STMicroelectronics
Wrażliwość na wilgoć:	Yes
Pd – strata mocy:	31.7 W
Rodzaj produktu:	RF MOSFET Transistors
Seria:	PD57018-E
Wielkość opakowania producenta:	600
Podkategoria:	MOSFETs
Rodzaj:	RF Power MOSFET
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	+ 20 V
Jednostka masy:	3 g