STMicroelectronics Układy MOSFET

Wyniki: 11
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-3PF package
Karta charakterystyki
446Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 34 A 78 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 57 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-3PF package
Karta charakterystyki
565Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 2.6 A 7 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 44 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement PowerMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS
Karta charakterystyki
338Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 45 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 143 nC - 55 C + 150 C 79 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package
Karta charakterystyki
137Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 71 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH
Karta charakterystyki
540Na stanie magazynowym
2 100Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 2.5 A 9 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 29.3 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement PowerMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 1500 V 4 A PowerMESH
Karta charakterystyki
354Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 7 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 50 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement PowerMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-3PF package
Karta charakterystyki
139Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 6 A 2 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 13.7 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-3PF packge
Karta charakterystyki
100Oczekiwane: 13.03.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 12 A 620 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 44.2 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 1050V 8 Ohm 1.4 A SuperMESH3(TM)
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 600
Wielokr.: 300

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 1.05 kV 1.4 A 8 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 20 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 1050 V, 6 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-3PF package
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 900
Wielokr.: 300

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 1.05 kV 2 A 6 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 10 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 300
Wielokr.: 300

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 34 A 87 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 55 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement MDmesh Tube